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公开(公告)号：CN101479185B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200780024350.X
申请日：2007-06-14
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 马克·斯沃罗斯基 , 大卫·D·R·谢弗里 , 包斯卡·菲利普
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00198 , B81B2201/0292 , H03H3/0072
Abstract: 一种制造集成在硅衬底中的MEMS器件的方法。在制造MEMS器件的同时，可以加工诸如具有高电容密度的沟槽电容器之类的无源元件。该方法尤其适合于谐振频率在10MHz范围内的MEMS谐振器。
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公开(公告)号：CN101517728A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034973.5
申请日：2007-09-14
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·纳耶 , 大卫·D·R·谢弗里 , 多米尼克·约恩
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了一种制造穿过衬底的垂直互连结构的方法。该方法利用了布置在衬底200的第一侧202和第二侧204之间的牺牲掩埋层220。在已经从第一侧蚀刻了沟槽206和206’之后，牺牲掩埋层220用作从第二侧蚀刻孔218和218’期间的停止层，因此在对孔进行过蚀刻期间保护沟槽不受损害。完全消除沟槽的蚀刻与孔的蚀刻之间的影响，从而提供了多个用于工艺选择和器件制造的优点。在去除了部分牺牲掩埋层以互连沟槽和孔之后，填充产生的垂直互连孔来形成垂直互连结构。
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公开(公告)号：CN101517728B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200780034973.5
申请日：2007-09-14
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·纳耶 , 大卫·D·R·谢弗里 , 多米尼克·约恩
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了一种制造穿过衬底的垂直互连结构的方法。该方法利用了布置在衬底200的第一侧202和第二侧204之间的牺牲掩埋层220。在已经从第一侧蚀刻了沟槽206和206’之后，牺牲掩埋层220用作从第二侧蚀刻孔218和218’期间的停止层，因此在对孔进行过蚀刻期间保护沟槽不受损害。完全消除沟槽的蚀刻与孔的蚀刻之间的影响，从而提供了多个用于工艺选择和器件制造的优点。在去除了部分牺牲掩埋层以互连沟槽和孔之后，填充产生的垂直互连孔来形成垂直互连结构。
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公开(公告)号：CN101479185A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024350.X
申请日：2007-06-14
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 马克·斯沃罗斯基 , 大卫·D·R·谢弗里 , 包斯卡·菲利普
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00198 , B81B2201/0292 , H03H3/0072
Abstract: 一种制造集成在硅衬底中的MEMS器件的方法。在制造MEMS器件的同时，可以加工诸如具有高电容密度的沟槽电容器之类的无源元件。该方法尤其适合于谐振频率在10MHz范围内的MEMS谐振器。
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