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    半导体器件及其制造方法
    2.
    发明公开
    半导体器件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101233604A

    公开(公告)日：2008-07-30

    申请号：CN200680028373.3

    申请日：2006-07-26

    Applicant: NXP股份有限公司

    Inventor： 约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 ,  韦伯·D·范诺尔特 ,  弗朗索瓦·纳耶

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737

    CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

    Abstract: 本发明涉及一种具有衬底(12)和硅半导体主体(11)的半导体器件(10)，该半导体器件包括双极晶体管，该双极晶体管带有分别是第一导电类型的发射极区域、与所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域和第一导电类型的集电极区域(1，2，3)，包括集电极区域或发射极区域的第一半导体区域被形成在半导体主体(11)中，在该半导体主体的顶部出现的是包括基极区域的第二半导体区域，在该第二半导体区域顶部出现的是包括所述的集电极区域和发射极区域中的另外一个的第三半导体区域，在第一和第二半导体区域(3，2)之间的过渡位置，所述的半导体主体(11)被提供了压缩层，该压缩层是通过掩埋在半导体主体(11)中的电绝缘区域(26，27)形成的。按照本发明，在掩埋的电绝缘区域(26，27)上形成的半导体主体的部分是单晶体，这使得器件的横向小型化，并使晶体管具有卓越的高频特性。按照本发明的制造方法，可以制造这样的器件(10)。

    双极晶体管及其制造方法
    4.
    发明公开
    双极晶体管及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101208802A

    公开(公告)日：2008-06-25

    申请号：CN200680023063.2

    申请日：2006-06-20

    Applicant: NXP股份有限公司

    Inventor： 埃尔文·海曾 ,  约斯特·梅拉伊 ,  弗朗索瓦·纳耶

    IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

    CPC classification number: H01L29/66287 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

    Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管及其制造方法，涉及一种具有基板(12)和包含一个双极晶体管的半导体主体(11)的半导体器件，该双极晶体管有包含第一连接导体、第二连接导体和第三连接导体的发射极区域(1)、基极区(2)和集电极区(3)，发射极区域(1)包含一个被提供了一个隔离层(4)的台面形发射极连接区域(1A)，以及邻近隔离层的包含多晶硅的导电区域(2AA)的基极连接区域(2A)。在按照本发明的器件中，基极连接区域(2A)包含另外的导电区域(2AB)，其位于多晶硅的导电区域(2AA)和基极区(2)之间并由这样一种材料制成，多晶硅的导电区域(2AA)相对于该材料是选择性地可蚀刻的。通过按照本发明的方法，这样的器件(10)非常易于制造，该器件的双极晶体管拥有卓越的RF特性。

    制造双极晶体管的方法
    7.
    发明公开
    制造双极晶体管的方法 有权

    公开(公告)号：CN101529568A

    公开(公告)日：2009-09-09

    申请号：CN200780031605.5

    申请日：2007-08-29

    Applicant: NXP股份有限公司

    Inventor： 约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 ,  塞巴斯蒂安·努汀克 ,  纪尧姆·L·R·博卡尔迪 ,  弗朗索瓦·纳耶

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/40

    CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66242

    Abstract: 本发明提供了制造双极晶体管的较简单的替代方法，所述双极晶体管包括与集电极区(21)相邻的沟槽(7)中的场电极(17)，所述场电极(17)使用降低表面场(Resurf)效应。Resurf效应重新修整集电极区(21)中的电场分布，使得在相同的集电极基极击穿电压下，集电极区(21)的掺杂浓度可以有效地提高，从而获得了减小的集电极电阻以及提高的双极晶体管速度。本方法包括在第一基极层(4)中形成基极窗口(6)从而暴露集电极区(21)的顶表面以及部分隔离区(3)的步骤。通过移除隔离区(3)的暴露部分来形成沟槽(7)，然后在沟槽(7)的表面上形成绝缘层(9，10)。在绝缘层(10)上形成第二基极层(13)，从而形成场电极(17)；在集电极区(21)的顶表面上形成第二基极层，从而形成基极区(31)；以及在第一基极层(4)的侧壁上形成第二基极层，从而形成第一基极层(4)、基极区(31)和场电极(17)之间的电连接。在基极区(31)的顶部上形成发射极区(41)，从而形成Resurf双极晶体管。

    半导体器件及其制造方法
    8.
    发明授权
    半导体器件及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101233604B

    公开(公告)日：2011-10-05

    申请号：CN200680028373.3

    申请日：2006-07-26

    Applicant: NXP股份有限公司

    Inventor： 约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 ,  韦伯·D·范诺尔特 ,  弗朗索瓦·纳耶

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737

    CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

    Abstract: 本发明涉及一种具有衬底(12)和硅半导体主体(11)的半导体器件(10)，该半导体器件包括双极晶体管，该双极晶体管带有分别是第一导电类型的发射极区域、与所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域和第一导电类型的集电极区域(1，2，3)，包括集电极区域或发射极区域的第一半导体区域被形成在半导体主体(11)中，在该半导体主体的顶部出现的是包括基极区域的第二半导体区域，在该第二半导体区域顶部出现的是包括所述的集电极区域和发射极区域中的另外一个的第三半导体区域，在第一和第二半导体区域(3，2)之间的过渡位置，所述的半导体主体(11)被提供了压缩层，该压缩层是通过掩埋在半导体主体(11)中的电绝缘区域(26，27)形成的。按照本发明，在掩埋的电绝缘区域(26，27)上形成的半导体主体的部分是单晶体，这使得器件的横向小型化，并使晶体管具有卓越的高频特性。按照本发明的制造方法，可以制造这样的器件(10)。

    双极晶体管及其制造方法
    9.
    发明授权
    双极晶体管及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN101208802B

    公开(公告)日：2011-09-07

    申请号：CN200680023063.2

    申请日：2006-06-20

    Applicant: NXP股份有限公司

    Inventor： 埃尔文·海曾 ,  约斯特·梅拉伊 ,  弗朗索瓦·纳耶

    IPC: H01L29/732 ,  H01L21/331

    CPC classification number: H01L29/66287 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

    Abstract: 本发明提供了一种双极晶体管及其制造方法，涉及一种具有基板(12)和包含一个双极晶体管的半导体主体(11)的半导体器件，该双极晶体管有包含第一连接导体、第二连接导体和第三连接导体的发射极区域(1)、基极区(2)和集电极区(3)，发射极区域(1)包含一个被提供了一个隔离层(4)的台面形发射极连接区域(1A)，以及邻近隔离层的包含多晶硅的导电区域(2AA)的基极连接区域(2A)。在按照本发明的器件中，基极连接区域(2A)包含另外的导电区域(2AB)，其位于多晶硅的导电区域(2AA)和基极区(2)之间并由这样一种材料制成，多晶硅的导电区域(2AA)相对于该材料是选择性地可蚀刻的。通过按照本发明的方法，这样的器件(10)非常易于制造，该器件的双极晶体管拥有卓越的RF特性。

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