公开(公告)号：CN1692181A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN03815822.1

申请日：2003-05-07

Applicant: 微制造公司

Inventor： A·L·科恩 ,  M·S·洛卡德 ,  D·R·斯莫利 ,  V·阿拉特 ,  C·J·李

IPC: C25D1/00 ,  C25D1/02

Abstract: 在一些实施例中，从至少一种结构材料(例如，镍)、至少一种牺牲材料(例如，铜)和至少一种密封材料(例如，焊接剂)以电化学方式制造多层结构。在一些实施例中，使该分层结构具有所期望的结构：其至少部分和紧挨地被牺牲材料包围，牺牲材料依次几乎完全被结构材料包围。包围的结构材料包括位于其表面中的开口，穿过开口蚀刻剂能侵蚀和去除在其中所发现的条状的牺牲材料。密封材料位于开口附近。在去除牺牲材料之后，盒子被排空或被用所期望的气体或液体填充。此后，使密封材料流动，密封开口，并重新凝固。在其它实施例中，增加了后层形成盖子或其它屏蔽罩形成结构。

公开(公告)号：CN1669177A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03817237.2

申请日：2003-06-27

Applicant: 微制造公司

Inventor： E·R·布朗 ,  J·D·艾丹斯 ,  C·A·邦格 ,  A·L·科恩 ,  M·S·洛卡德 ,  D·R·斯莫利 ,  M·格洛瑟

IPC: H01P3/06 ,  H01P5/18 ,  H01P11/00

CPC classification number: H01P11/005 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0109 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D1/003 ,  H01P1/202 ,  H01P3/06 ,  H01P5/183 ,  H01P11/00

Abstract: 提供射频和微波辐射导引或控制元件，其可为单片集成的、可由多项电沉积操作和/或由多个沉积层材料形成、可包括开关、电感器、天线、传输线、滤波器、混合耦合器、天线阵列和/或其它有源或无源元件。元件可包括可用来分离牺牲材料与结构材料的非辐射进入和非辐射离开通路。较佳的形成工艺使用电化学制造技术(例如包括选择性沉积、体块沉积、蚀刻操作及平坦化操作)以及后沉积工艺(例如选择性蚀刻操作和/或回填操作)。