公开(公告)号：CN101927978A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010204843.5

申请日：2010-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·C·萨普 ,  李正文 ,  L·A·克莱文格 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  R·A·库翁 ,  C·J·雷登斯

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0292

Abstract: 本发明涉及具有平行板电极的自对准纳米尺寸器件。相连的深沟槽包括第一沟槽部分以及第二和第三沟槽部分，第一沟槽部分具有在第一平行侧壁的对之间的恒定宽度，第二和第三沟槽部分中的每一个具有大于第一沟槽部分的宽度且横向地连接到第一沟槽部分。采用非保形沉积工艺形成导电层，该导电层在相连的深沟槽部分内具有锥形的几何形状，以便在相连的深沟槽的底表面上不存在导电层。形成间隙填充层以填塞第一沟槽部分中的空间。将导电层构图成两个导电板，这两个导电板中的每一个具有位于第一沟槽部分内的锥形垂直部分。在去除了间隙填充层的剩余部分之后，形成了这样的器件，该器件在所述导电板的锥形垂直部分之间具有小间隔距离。

公开(公告)号：CN1622322A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410074784.9

申请日：2004-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·C·巴尔特洛 ,  T-J·程 ,  D·F·艾希施泰特 ,  C·C·戈德史密斯 ,  J·H·格里菲特 ,  D·W·亨德森 ,  R·A·库翁 ,  S·基尔帕特里克

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 一种用于提高C4互连的可靠性的稳定铜覆盖层。公开了改进的集成电路结构，其具有内部电路和在所述结构的外部上的互连(如，C4等)。根据本发明，这些互连包括：在所述结构的外部上的金属层，在金属层上的第一铜层，在铜层上的阻挡层，在阻挡层上的稳定铜层，以及在阻挡层上的锡基焊料凸起。稳定铜层具有足量的铜，以平衡铜在阻挡层上的化学势能梯度，并防止第一铜层内的铜扩散穿过阻挡层。可选地，可在锡基焊料凸起内包括足量的铜，以防止铜扩散穿过阻挡层。从而，锡基焊料凸起包括富铜焊料合金。