公开(公告)号：CN1675126A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818563.6

申请日：2003-05-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 朱尔根·A.·弗斯特纳 ,  斯蒂文·M.·史密斯 ,  雷蒙德·M.·鲁普

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: 提供了一种用来制作MEMS结构(69)的方法。根据此方法，提供了其上淀积有互连金属(53)的CMOS衬底(51)。通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)，在衬底上产生了MEMS结构。伴随PACVD使用的低的淀积温度使得这些材料能够在集成CMOS工艺的后端被用于制造MEMS。