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公开(公告)号：CN104247030B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201380020870.9
申请日：2013-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 矶部敦生
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/70 , H01L27/1085 , H01L27/1259 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 在使用氧化物半导体材料的鳍型结构晶体管中抑制阈值电压向负方向漂移或S值增高等的电特性的不均匀。氧化物半导体膜隔着绝缘膜夹在多个栅电极之间。具体而言，覆盖第一栅电极的第一栅极绝缘膜；接触于该第一栅极绝缘膜并越过第一栅电极的氧化物半导体膜；至少覆盖该氧化物半导体膜的第二栅极绝缘膜；以及接触于该第二栅极绝缘膜的一部分并越过第一栅电极的第二栅电极。
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公开(公告)号：CN103779359B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410039983.X
申请日：2005-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/02 , H01L23/544 , H01L21/683 , H01L23/488
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L2221/6835 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01Q1/38 , H01Q9/285 , H01Q23/00 , Y10S438/982 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。
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公开(公告)号：CN104247030A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020870.9
申请日：2013-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 矶部敦生
IPC: H01L29/786 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/70 , H01L27/1085 , H01L27/1259 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 在使用氧化物半导体材料的鳍型结构晶体管中抑制阈值电压向负方向漂移或S值增高等的电特性的不均匀。氧化物半导体膜隔着绝缘膜夹在多个栅电极之间。具体而言，覆盖第一栅电极的第一栅极绝缘膜；接触于该第一栅极绝缘膜并越过第一栅电极的氧化物半导体膜；至少覆盖该氧化物半导体膜的第二栅极绝缘膜；以及接触于该第二栅极绝缘膜的一部分并越过第一栅电极的第二栅电极。
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公开(公告)号：CN102194892B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110080569.X
申请日：2006-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/49 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。
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公开(公告)号：CN1722448B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200510076233.0
申请日：2005-04-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1259 , H01L27/1214
Abstract: 薄膜集成电路及制造该薄膜集成电路、CPU、存储器、电子卡和电子设备的方法对薄膜集成电路施以硅化物自对准工艺，而不必担心对玻璃基底的损害，因此能够实现电路的高速运行。在玻璃基底上形成金属基膜、氧化物和绝缘基膜。在绝缘基膜上形成具有侧壁的TFT，形成覆盖TFT的金属膜。通过RTA等，在不引起基底收缩的温度进行退火，在源和漏区中形成高电阻金属硅化物层。去除未反应的金属膜之后，进行第二次退火的激光照射，因此发生硅化物反应，高电阻金属硅化物层变成低电阻金属硅化物层。在第二次退火中，金属基膜吸收并且积累激光照射的热量，除了激光照射的热量之外，还向半导体层提供金属基膜的热量，从而提高源和漏区中的硅化物反应的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1855399B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200610079300.9
申请日：2006-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/84 , H01L21/768 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1248 , H01L27/1255
Abstract: 为了制造出高度可靠和小型的TFT，本发明的一个目的是提供一种制造形成具有高度可靠性的栅电极、源极布线和漏极布线的半导体器件的方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，在具有绝缘表面的基板上形成半导体膜，在半导体膜上形成栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅电极，并通过使用高密度等离子体使栅电极表面氮化，在栅电极的表面上形成氮化膜。
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公开(公告)号：CN1921143B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200610121615.5
申请日：2006-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。
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公开(公告)号：CN101840864A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010146652.8
申请日：2010-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/3205 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L27/1218 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供一种解决在使用具有绝缘表面的衬底的情况下有可能发生的问题的半导体装置。该半导体装置包括：具有绝缘表面的基底衬底；绝缘表面上的导电层；导电层上的绝缘层；绝缘层上的包括沟道形成区、第一杂质区、第二杂质区、以及沟道形成区与第二杂质区之间的第三杂质区的半导体层；覆盖半导体层的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的栅电极；电连接到第一杂质区的第一电极；以及电连接到第二杂质区的第二电极，其中，导电层被保持为规定电位。
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公开(公告)号：CN101150135B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710182288.9
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/528 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78633
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(像素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个像素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻像素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图像。
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公开(公告)号：CN100565835C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610088623.4
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 矶部敦生
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/124 , H01L29/4908
Abstract: 与TFT形成在相同衬底上的半导体元件，包括具有杂质区的岛状半导体膜；形成在岛状半导体膜上的绝缘膜；通过在第一方向(沟道宽度方向)上间隔开距离a而在绝缘膜上分为多个部分的电极；形成为与电极侧壁接触的具有宽度b的绝缘体和形成在被分为多个部分的电极之间的区域中的绝缘体；形成在杂质区一部分表面上的硅化物层；和通过测量半导体元件的半导体膜的阻抗来评估TFT的特性。
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