公开(公告)号：CN103035736B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201210368465.3

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  筱原聪始

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606

Abstract: 在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。

公开(公告)号：CN106960880A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201611205405.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  筱原聪始

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明名称为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中，包括其能隙彼此不同的至少两个氧化物半导体层的氧化物半导体堆叠层用作半导体层。氧和/或掺杂剂可添加到氧化物半导体堆叠层。

公开(公告)号：CN101840864B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201010146652.8

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  乡户宏充 ,  筱原聪始

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种解决在使用具有绝缘表面的衬底的情况下有可能发生的问题的半导体装置。该半导体装置包括：具有绝缘表面的基底衬底；绝缘表面上的导电层；导电层上的绝缘层；绝缘层上的包括沟道形成区、第一杂质区、第二杂质区、以及沟道形成区与第二杂质区之间的第三杂质区的半导体层；覆盖半导体层的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的栅电极；电连接到第一杂质区的第一电极；以及电连接到第二杂质区的第二电极，其中，导电层被保持为规定电位。

公开(公告)号：CN103035736A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210368465.3

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  筱原聪始

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606

Abstract: 在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。

公开(公告)号：CN108389911A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810146247.2

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  筱原聪始

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606

Abstract: 在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。

公开(公告)号：CN101840864A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010146652.8

申请日：2010-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  乡户宏充 ,  筱原聪始

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种解决在使用具有绝缘表面的衬底的情况下有可能发生的问题的半导体装置。该半导体装置包括：具有绝缘表面的基底衬底；绝缘表面上的导电层；导电层上的绝缘层；绝缘层上的包括沟道形成区、第一杂质区、第二杂质区、以及沟道形成区与第二杂质区之间的第三杂质区的半导体层；覆盖半导体层的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的栅电极；电连接到第一杂质区的第一电极；以及电连接到第二杂质区的第二电极，其中，导电层被保持为规定电位。

公开(公告)号：CN108389911B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201810146247.2

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  筱原聪始

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。

公开(公告)号：CN102867854B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210235123.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  筱原聪始

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明名称为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中，包括其能隙彼此不同的至少两个氧化物半导体层的氧化物半导体堆叠层用作半导体层。氧和/或掺杂剂可添加到氧化物半导体堆叠层。

公开(公告)号：CN102867854A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210235123.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  筱原聪始

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明为半导体装置及其制造方法。所提供的是一种具有对于其目的而言必要的电特性并且使用氧化物半导体层的晶体管以及一种包括该晶体管的半导体装置。在底栅晶体管(其中至少一个栅电极层、栅绝缘膜和半导体层按照这种顺序堆叠)中，包括其能隙彼此不同的至少两个氧化物半导体层的氧化物半导体堆叠层用作半导体层。氧和/或掺杂剂可添加到氧化物半导体堆叠层。