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公开(公告)号：CN119384712A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380046234.7
申请日：2023-05-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可沿基板界定一个或多个特征。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可在沿着基板的一个或多个特征内延伸。方法可包括提供含氧前驱物。方法可包括用含氧前驱物对含硅材料进行退火。退火可导致含硅材料在一个或多个特征内膨胀。方法可包括重复一个或多个操作以迭代地填充基板上的一个或多个特征。
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公开(公告)号：CN118103959A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068200.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/311 , H10B41/20 , H10B43/20
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括部分地穿过介电材料蚀刻一个或多个特征以暴露来自在基板上形成的一个或多个层对的材料。方法可包括在完全穿透介电材料之前以及从在所述基板上形成的所有层对暴露材料之前中止蚀刻。方法可包括在来自具有暴露材料的一个或多个层对中的每一者的暴露材料上形成含碳材料层。方法可包括完全穿过介电材料蚀刻一个或多个特征以暴露在基板上形成的每个剩余层对的材料。
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公开(公告)号：CN113169022B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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公开(公告)号：CN117751425A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280051784.3
申请日：2022-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/52 , C23C16/38 , H01L21/033
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于形成含硅和硼的膜的工艺，所述含硅和硼的膜用于在例如间隔件限定的图案化应用中使用。在实施例中，提供了一种间隔件限定的图案化工艺。所述工艺包括将基板设置在处理腔室的处理空间中，所述基板具有形成在基板上的图案化特征，以及使第一工艺气体流入处理空间中，第一工艺气体包含含硅物质，所述含硅物质具有比SiHU更高的分子量。所述工艺进一步包括使第二工艺气体流入处理空间中，第二工艺气体包含含硼物质，以及在沉积条件下在图案化特征上沉积保形膜，所述保形膜包含硅和硼。
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公开(公告)号：CN110168698B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201780079463.3
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本文中公开的实施方式涉及用于形成存储器器件的方法，且更具体地涉及用于在存储器器件中在存储器材料之上形成电介质封闭层的改进的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在比存储器材料的热预算的温度要低的温度下在存储器材料之上热沉积第一材料；将所述第一材料暴露于氮等离子体以将氮掺入在所述第一材料中；和重复所述热沉积和氮等离子体操作以在所述存储器材料之上形成密封的保形电介质封闭层。因此，形成在所述存储器材料之上的具有密封的保形电介质封闭层的存储器器件。
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公开(公告)号：CN110945642B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880037482.4
申请日：2018-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/02
Abstract: 描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。
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公开(公告)号：CN110431660B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880016713.3
申请日：2018-03-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了用于用非晶硅(a‑Si)膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法，所述方法涉及预处理基板的表面以将下面的羟基封端的硅(Si‑OH)或氢封端的硅(Si‑H)表面改性为氧氮化物封端的硅(Si‑ON)或氮化物封端的硅(Si‑N)并增强后续的a‑Si沉积。首先，提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后，预处理所述基板的所述表面来增强所述基板的所述表面，以供进行随后的非晶硅的可流动沉积。然后，执行可流动沉积工艺以在所述基板的所述表面之上沉积可流动硅层。本文所述的方法一般通过共形硅沉积和可流动硅沉积工艺改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现对特征之间的无缝间隙填充。
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公开(公告)号：CN110678973B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880035089.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于干式剥除沉积在半导体基板上的碳化硼层的方法。在一个实施方案中，该方法包括：将具有碳化硼层的基板装载到压力容器中；将基板暴露于包括氧化剂的处理气体，所述氧化剂的压力在约500托与60巴之间；将压力容器加热到大于处理气体的冷凝点的温度；和从压力容器去除处理气体与碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。
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