公开(公告)号：CN111699549B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201980012399.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  江施施 ,  巫勇 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

公开(公告)号：CN119365960A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202380045601.1

申请日：2023-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·高希 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  S·S·奥哈 ,  P·P·杰哈 ,  程睿

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括以下步骤：将含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可被设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可限定沿着基板的一个或多个特征。所述方法可包括以下步骤：在处理区域内形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将含碳材料沉积到基板上。含碳材料可在沿着基板的一个或多个特征内延伸。所述方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：用含氢前驱物的等离子体流出物处理含碳材料。含氢前驱物的等离子体流出物可导致含碳材料的一部分被从基板去除。

公开(公告)号：CN116982139A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280015523.6

申请日：2022-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  江施施 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述了用于对基板表面的特征进行间隙填充的方法。特征中的每一者从基板表面延伸进入基板达一距离并且具有底部和至少一个侧壁。方法包括以多个高频射频(HFRF)脉冲在基板表面的特征中沉积非共形膜。非共形膜在特征的底部上比在至少一个侧壁上具有更大的厚度。沉积膜被基本上从特征的侧壁蚀刻掉。重复沉积与蚀刻工艺以填充特征。

公开(公告)号：CN116830242A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180090330.2

申请日：2021-12-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性沉积方法可包括使含硅前驱物流动到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在半导体处理腔室的面板与基座之间的处理区域中点燃等离子体。基座可支撑包括图案化的光刻胶的基板。方法可包括将基板温度维持在小于或约200℃。方法还可包括沿着图案化的光刻胶沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN111066133B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201880056745.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄祖滨 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

Abstract: 在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所述区隔板可以包括多个区域，每个区域具有不同的孔图案/几何形状和/或流型。在另一方面，所述设备可以包括辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件设置在衬底支撑件的底部下方。所述衬底支撑件的轴或杆在其靠近所述衬底支撑件的上端处包括孔。

公开(公告)号：CN116529850A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077566.2

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·杨 ,  K·尼塔拉 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  D·凯德拉亚 ,  黄祖滨 ,  A·爱丁

IPC: H01L21/033

Abstract: 本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比流动。含硼前驱物及H2的流动速率可增加，同时在流动速率增加期间硼氢流速比保持恒定。含硼与硅层可在基板上沉积，并且可由从与基板接触的第一表面到最远离基板的含硼与硅层的第二表面的连续增加的硼硅比表征。

公开(公告)号：CN115943480A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180051316.1

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  R·普拉萨德 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  G·K·赫玛尼 ,  K·尼塔拉 ,  S·唐 ,  Q·高

IPC: H01L21/265

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。该非晶硅层可以由第一氢掺入量表征。方法可包括对非晶硅层执行束线离子布植工艺或等离子体掺杂工艺。方法可包括从非晶硅层移除氢直至小于第一氢掺入量的第二氢掺入量。

公开(公告)号：CN108463870B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201780006715.X

申请日：2017-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。

公开(公告)号：CN108140562B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201680060335.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  K·陈 ,  K·杰纳基拉曼 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。

公开(公告)号：CN115699252A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180042460.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  D·凯德拉亚 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  G·K·赫玛尼 ,  K·尼塔拉 ,  A·J·卢斯特格拉夫 ,  黄祖滨 ,  B·斯波尔丁 ,  S·沙尔玛 ,  K·陈

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物流动至半导体处理腔室的处理区域中。基板可容纳在处理区域内，且基板可维持在低于或约450℃的温度下。方法可包括冲击含硅前驱物的等离子体。方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。非晶硅层的特征可在于小于或约3％的氢掺入。