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公开(公告)号：CN112965349A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110130424.X
申请日：2021-01-29
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明涉及一种晶圆对准方法及晶圆双面测量系统，该晶圆对准方法包括：提供晶圆，所述晶圆的正面具有正面对准标识；于所述晶圆的背面设置背面对准标识；建立所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系；量测所述背面对准标识的位置，基于量测的所述背面对准标识的位置及所述正面对准标识与所述背面对准标识的坐标对应关系得到所述正面对准标识的位置，并基于得到的所述正面对准标识的位置完成对准。该晶圆对准方法无需获取晶圆内部正面对准标识的坐标位置，而是直接测量背面对准标识，然后通过其与正面对准标识的坐标对应关系，得到正面对准标识的坐标，从而实现晶圆正面对准标识的精确定位。
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公开(公告)号：CN112928016A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110133828.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 澳芯集成电路技术(广东)有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，尤其涉及晶圆的快速退火工艺。本发明提供的用于晶圆的快速退火工艺，在基础中快速退火工艺中的快速升温步骤前对硅片进行固相外延处理。重参杂离子造成晶格损伤，在离子布植接面形成非晶与单晶的界面，通过中低温短时间回火，界面下方的单晶体可作为非晶层再结晶的籽晶而完成固相外延流程，砷造成的晶格损伤会随着结晶大幅修复，同时因为此过程温度不会太高且时间相对较短，因此并不会影响其他轻参杂离子的扩散而造成接面变深。因此，本发明提供的工艺无需额外制程，成本投入，在已有工艺制程中引入新的方案，既能实现对重参杂离子造成的高晶格损坏修复，同时能兼顾保证所有离子高活化率以及形成浅接面。
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公开(公告)号：CN111600485B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010576602.7
申请日：2020-06-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H02M3/158
Abstract: 本申请涉及一种多相交错并联电路中功率管的控制方法、装置和存储介质，所述方法通过获取已知功率管的总数量，并根据多相交错并联电路的负载电流，确定同时开通的功率管的数量K。控制K个所述功率管开通，当K个所述功率管开通时间等于预设时间时，控制第一个开通的功率管断开，再开通新的功率管，以使同时开通的功率管的数量为K，直至N个所述功率管全部开通过，返回控制第一个功率管开通。本申请提供的多相交错并联电路中功率管的控制方法能够提高整个多相交错并联电路的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111600485A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010576602.7
申请日：2020-06-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H02M3/158
Abstract: 本申请涉及一种多相交错并联电路中功率管的控制方法、装置和存储介质，所述方法通过获取已知功率管的总数量，并根据多相交错并联电路的负载电流，确定同时开通的功率管的数量K。控制K个所述功率管开通，当K个所述功率管开通时间等于预设时间时，控制第一个开通的功率管断开，再开通新的功率管，以使同时开通的功率管的数量为K，直至N个所述功率管全部开通过，返回控制第一个功率管开通。本申请提供的多相交错并联电路中功率管的控制方法能够提高整个多相交错并联电路的使用寿命。
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公开(公告)号：CN120066203A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510151215.1
申请日：2025-02-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F1/12
Abstract: 本发明提供了一种数据同步电路及装置，该电路包括：信号输入模块、信号调制模块、解调模块与快速推拉逻辑模块；信号输入模块用于获取输入数据及时钟信号；信号调制模块用于基于时钟信号对输入数据进行调制，生成调制信号；快速推拉逻辑模块用于基于输入数据及时钟信号进行快速推拉，获取快速推拉信号；解调模块包括施密特触发器；解调模块用于对调制信号进行初步解调，获取初步解调信号，接着基于快速推拉信号推拉初步解调信号，获取推拉调制信号，施密特触发器用于过滤推拉调制信号并输出终端解调信号。本发明提供一种数据同步电路及装置，能够减少信号延迟及脉宽失真现象，保障时序逻辑电路的稳定性与可靠性，减少数据错误和电路误动作问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120010614A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510164291.6
申请日：2025-02-14
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供了一种预稳压电路及装置，该电路包括输入模块、分压模块、调节模块、负反馈模块和电压输出模块，其中：输入模块用于获取输入电压及偏置电流；分压模块用于根据偏置电流对输入电压进行分压调整，获取支路电压；调节模块用于根据输入电压及目标输出电压生成调节电压；目标输出电压由所述负反馈模块根据支路电压和调节电压产生；电压输出模块用于输出目标输出电压。本发明提供的一种预稳压电路，通过负反馈调节生成目标输出电压，使调节模块能够根据目标输出电压的变化实时调整，实现在负载电流较大的情况下，通过负反馈机制确保目标输出电压不受负载电流的影响，提高输出电压稳定性。
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公开(公告)号：CN119440158A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411735113.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种低压高精度线性校准电路、电流源和用电设备，电路包括：N个负反馈电路以及结构相同的校准单元和N个基准单元，负反馈电路以及所述基准单元的两个输入端分别连接在第一输出节点和第二输出节点，负反馈电路的两个输入端分别于所述第一输出节点和第二输出节点相连，所述负反馈电路的输出端作用在对应的基准单元中的第一MOS开关管的背栅，进而对第一输出节点上的电压进行调制，使得低压高精度线性校准电路的输出结果更加精准可靠。
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公开(公告)号：CN119363056A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411429623.0
申请日：2024-10-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请提供一种全差分运算放大电路。该全差分运算放大电路包括差分输入对和两个反向放大电路。差分输入对中的第一放大管的栅极、第二放大管的栅极分别对应接收第一输入信号、第二输入信号，第一输入信号和所述第二输入信号为差分信号。第一反向放大电路的输入端接收第一输入信号，第一反向放大电路的输出端与第二放大管的背栅相连。第二反向放大电路的输入端接收第二输入信号，第二反向放大电路的输出端与第一放大管的背栅相连。在该全差分运算放大电路中，由于根据差分输入对中的每个放大管的栅极所接收的输入信号对另一个放大管的背栅的电位进行反向调整，所以可以提高差分输入对的跨导，从而可以全差分运算放大电路的增益。
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公开(公告)号：CN118899321A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410978471.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 张江国家实验室
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请提供一种晶圆结构，包括衬底，以及衬底上的多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和/或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。
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公开(公告)号：CN118899265A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410978479.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 张江国家实验室
Abstract: 本申请提供一种晶圆结构的制造方法，包括提供衬底，以及在衬底上形成多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和/或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，这样可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。
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