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公开(公告)号：CN115425129A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211120718.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多色LED芯片及其制作方法，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
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公开(公告)号：CN115295694A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210342228.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。
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公开(公告)号：CN114464712A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210275391.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
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公开(公告)号：CN113363358A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110601827.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错阻挡层背离第一半导体层上的有源层；位于有源层背离第一半导体层上的第三半导体层，第三半导体层与第一半导体层的导电类型不同。本发明提供的技术方案，通过设置位错阻挡层能够减小LED芯片的位错密度，同时能够实现应力释放功能，进而降低LED芯片外延生长过程中出现翘曲的情况的几率。以及通过设置电流阻挡层能够实现LED芯片更好的电流阻挡效果，进而保证LED芯片的性能优良。
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公开(公告)号：CN113328019A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110563851.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法，通过设置：具有若干个凸台的图形化衬底以及形成于所述图形化衬底表面的保护层；相邻的所述凸台之间具有间隙，且所述保护层填充所述间隙并覆盖各所述凸台的顶面；所述保护层用于保护所述生长衬底的图形在外延生长前不被破坏。进一步地，所述凸台的垂直高度大于所述凸台的底面宽度，使所述外延生长衬底形成大高宽比的图形，实现大出光角度；并通过小底宽设计实现高密度的图形进而提高发光效率。同时，通过设置保护层，有利于实现图形化衬底的可靠性及稳定性，减少大高宽比的图形在外延生长前被外力破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783436B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201911085646.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁形成金属扩展电极层，且相邻侧壁的金属扩展电极层构成相互连续；凹槽内设焊台电极，焊台电极与金属扩展电极层形成电连接。本案还公开了该发光二极管的制作方法。本案通过设置特殊的凹槽结构，达到均匀扩展电流的作用，扩展电极的厚度极薄，且扩展电极设置在凹槽侧面的垂直面上，相当于隐形，解决现有技术中金属扩展电极底面挡光的问题，实现大范围的发光面积，从而保持优越的电流扩展效果。
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公开(公告)号：CN104112805B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410338035.6
申请日：2014-07-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有防扩层的发光二极管的制造方法，采用前期增加外延生长防扩层，后期二极管制作工艺中在防扩层之上形成金属反射镜，并在防扩层嵌入金属导电通道，通过采用氧化工艺将防扩层变成氧化物介质层，且与金属反射镜、导电通道构成复合的全方位反射效果，通过叠加布拉格反射层而组成的两部分复合结构，获得较高的发光亮度。采用此方法解决了传统倒置芯片制作过程中，在外延层蒸镀氧化膜工艺，外延层与氧化膜、金属反射镜存在材料界面容易剥离的问题，提高发光二极管的稳定性及生产制造过程的成品率。本发明还公开所述方法制造的具有防扩层的发光二极管，使外量子效率较高，且内部层结构连接较为稳定。
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公开(公告)号：CN104332535B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410551438.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN103500784B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310443689.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。
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公开(公告)号：CN104347359A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410477236.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L33/02 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种高效的衬底剥离方法，包括以下步骤：步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。本发明可以提高外延结构与衬底的剥离速率，且解决剥离时外延结构容易破损的问题。
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