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公开(公告)号:CN102948255A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201180031181.9
申请日:2011-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/005 , H01L51/5253 , H05B33/04
Abstract: 本发明提供密封膜形成方法、密封膜形成装置及有机发光元件。能够以比以往技术更短的时间及低成本形成抗透湿性较高的密封膜。在用于形成用于密封有机EL元件(12)的密封膜(13)的密封膜形成方法中,在有机EL元件(12)的表面上形成第一无机层(13a),在第一无机层(13a)之上形成碳氢化合物层(13c),通过使碳氢化合物层(13c)软化或熔化而使其平坦化,使碳氢化合物层(13c)固化,使碳氢化合物层(13c)固化后,在碳氢化合物层13c之上形成比第一无机层(13a)厚的第二无机层(13e)。
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公开(公告)号:CN102575347A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080044833.8
申请日:2010-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 提供一种成膜装置,该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备:收纳被处理基板(G)的处理室;设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部;有机成膜材料供给部(22),其设置于处理室的内部,将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出;无机成膜材料供给部(24),其设置于处理室的内部,喷出无机成膜材料的蒸气;和混合室(23),其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合,混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
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公开(公告)号:CN102202992A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200980143494.6
申请日:2009-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B65G49/06 , H01L21/677 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/56 , H01L21/67173 , H01L21/6723
Abstract: 本发明提供一种能够扩展与传输模块侧面相连接的各种处理装置之间的间隔,维护性优良,可以避免生产能力的恶化,确保充分的生产效率的基板处理系统。基板处理系统在基板上沉积例如包含有机层的多个层来制造有机EL元件,由可抽真空的一个或两个以上的传输模块构成直线状的搬送路径,在传输模块的内部沿着搬送路径相互串联配置有:将基板相对于处理装置搬入搬出的多个搬入搬出区域,和配置在它们之间的一个或两个以上贮存区域,在传输模块的侧面且与搬入搬出区域对置的位置连接有处理装置。
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公开(公告)号:CN101958233A
公开(公告)日:2011-01-26
申请号:CN201010229682.5
申请日:2007-10-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02063 , H01J37/32862 , H01L21/02071 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法,其特征在于,包括:对上述基板的表面照射紫外线,除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序;在上述紫外线处理工序之后进行,向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气,除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序;和在上述紫外线处理工序之后进行,通过对上述基板进行加热,使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。
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公开(公告)号:CN101010448B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200680000710.8
申请日:2006-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45561 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种在半导体处理装置中使用的构成部件(10),其包括:规定构成部件的形状的基材(10a)和覆盖基材的规定表面的保护膜(10c)。保护膜(10c)由选自铝、硅、铪、锆和钇的第一元素的氧化物的无定形体构成。保护膜(10c)具有小于1%的孔隙率和1nm~10μm的厚度。
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公开(公告)号:CN101405855B
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200780009926.5
申请日:2007-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67207 , G01N21/3103 , G01N21/68 , H01J49/0463
Abstract: 本发明公开的分析装置,包括:第一处理部,其通过照射紫外线,除去在基板上形成的覆盖膜;第二处理部,其向基板的表面供给溶解液,使基板上的分析对象物质溶解;和第三处理部,其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。
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公开(公告)号:CN101313389B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200780000214.7
申请日:2007-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02087 , H01L21/67115 , Y10S134/902
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。根据本发明,无需研磨基板端部,无需发生等离子体,通过简单的控制即能一次清洗基板端部全周。其中,设置用来载置晶片(W)的载置台(204);加热晶片端部的加热模块(210);朝着晶片端部照射紫外线的紫外线照射模块(220);以及在晶片端部表面形成气体的气流的气流形成模块(230),并且在晶片端部附近按照围绕晶片的方式来分别配置加热模块、紫外线照射模块以及气流形成模块。
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公开(公告)号:CN101313398A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200780000265.X
申请日:2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G01N23/225
CPC classification number: G01N23/2251 , G01N2223/611
Abstract: 本发明提供一种基板检查装置,该基板检查装置检查在基板上的由在第一层上叠层与该第一层的组成不同的第二层而形成的叠层结构上,以该第二层的一部分露出的方式而形成的图案的缺陷,其具有:向上述基板上照射1次电子的电子发射单元;检测由上述1次电子的照射而生成的2次电子的电子检测单元;对由上述电子检测单元检测出的2次电子的数据进行处理的数据处理单元;和控制上述1次电子的加速电压的电压控制单元,其中,上述电压控制单元控制加速电压,使上述1次电子在露出上述第二层的部分,到达上述第一层与上述第二层的界面附近以外的上述第一层或上述第二层中。
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公开(公告)号:CN116922954A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310399543.4
申请日:2023-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供抑制由干燥导致的释放不良的液滴释放装置、液滴释放方法和存储介质。液滴释放装置具有工作台、释放头、移动部和冲流部。释放头具有释放功能液的多个喷嘴,从喷嘴对位于工作台之上的基片释放功能液。移动部使位于工作台之上的基片与释放头相对移动。冲流部在利用移动部进行的相对移动中在释放头位于基片的上方之前接收从释放头释放的功能液。冲流部具有:接收功能液的垫状物;和将由垫状物接收到的功能液排出的排液管。
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公开(公告)号:CN107878044B
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201710899704.0
申请日:2017-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 在既进行基板上的溶剂的减压干燥处理又进行溶剂捕获部上的溶剂的脱离处理的减压干燥装置中,以简单的装置结构缩短上述减压干燥处理的时间和上述脱离处理的时间。减压干燥装置(1)使收纳在腔室(10)内的基板(W)上的溶液在减压状态下干燥,包括由网状板构成的、暂时地捕获从基板(W)汽化的溶液中的溶剂的溶剂捕获部(30),溶剂捕获部(30)以与基板(W)相对的方式设置在腔室(10)内,构成溶剂捕获部(30)的网状板的开口率为60%以上80%以下,单位面积的热容为850J/K·m2以下。
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