公开(公告)号：CN101313389A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200780000214.7

申请日：2007-04-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/67115 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。根据本发明，无需研磨基板端部，无需发生等离子体，通过简单的控制即能一次清洗基板端部全周。其中，设置用来载置晶片(W)的载置台(204)；加热晶片端部的加热模块(210)；朝着晶片端部照射紫外线的紫外线照射模块(220)；以及在晶片端部表面形成气体的气流的气流形成模块(230)，并且在晶片端部附近按照围绕晶片的方式来分别配置加热模块、紫外线照射模块以及气流形成模块。

公开(公告)号：CN101421828A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780012931.1

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。

公开(公告)号：CN101958233B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010229682.5

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。

公开(公告)号：CN101405855A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009926.5

申请日：2007-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  川村茂 ,  继田浩平 ,  林辉幸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G01N21/3103 ,  G01N21/68 ,  H01J49/0463

Abstract: 本发明公开的分析装置，包括：第一处理部，其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处理部，其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。

公开(公告)号：CN101958233A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010229682.5

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。

公开(公告)号：CN101405855B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200780009926.5

申请日：2007-06-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  川村茂 ,  继田浩平 ,  林辉幸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G01N21/3103 ,  G01N21/68 ,  H01J49/0463

Abstract: 本发明公开的分析装置，包括：第一处理部，其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处理部，其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。

公开(公告)号：CN101313389B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200780000214.7

申请日：2007-04-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/67115 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法、基板处理装置。根据本发明，无需研磨基板端部，无需发生等离子体，通过简单的控制即能一次清洗基板端部全周。其中，设置用来载置晶片(W)的载置台(204)；加热晶片端部的加热模块(210)；朝着晶片端部照射紫外线的紫外线照射模块(220)；以及在晶片端部表面形成气体的气流的气流形成模块(230)，并且在晶片端部附近按照围绕晶片的方式来分别配置加热模块、紫外线照射模块以及气流形成模块。

公开(公告)号：CN101855535B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980100933.5

申请日：2009-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: G01N15/14

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G01N1/4044 ,  G01N15/06 ,  G01N2015/0681 ,  G01N2015/0693

Abstract: 本发明提供粒子检测辅助方法和粒子检测方法，能够实现以现有的光散射光不能检测出的微小的有机类粒子和无机类粒子的准确的检测。该方法包括：吸附渗透工序，通过使有机类气体与半导体制造工序中的有机类粒子接触而使有机类气体成分吸附和渗透于该有机类粒子；发泡工序，通过使已与有机类气体接触的有机类粒子与加热气体接触而使该有机类粒子发泡膨胀；有机类粒子检测工序，向发泡膨胀的有机类粒子照射光，通过接受来自该有机类粒子的散射光而检测上述有机类粒子；氧化工序，通过使无机类粒子和有机类粒子氧化而分解该有机类粒子并使上述无机类粒子膨胀；和无机类粒子检测工序，向膨胀的无机类粒子照射光，通过接受来自该无机类粒子的散射光而检测上述无机类粒子。

公开(公告)号：CN101421828B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200780012931.1

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。

公开(公告)号：CN101855535A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200980100933.5

申请日：2009-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: G01N15/14

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G01N1/4044 ,  G01N15/06 ,  G01N2015/0681 ,  G01N2015/0693

Abstract: 本发明提供粒子检测辅助方法和粒子检测方法，能够实现以现有的光散射光不能检测出的微小的有机类粒子和无机类粒子的准确的检测。该方法包括：吸附渗透工序，通过使有机类气体与半导体制造工序中的有机类粒子接触而使有机类气体成分吸附和渗透于该有机类粒子；发泡工序，通过使已与有机类气体接触的有机类粒子与加热气体接触而使该有机类粒子发泡膨胀；有机类粒子检测工序，向发泡膨胀的有机类粒子照射光，通过接受来自该有机类粒子的散射光而检测上述有机类粒子；氧化工序，通过使无机类粒子和有机类粒子氧化而分解该有机类粒子并使上述无机类粒子膨胀；和无机类粒子检测工序，向膨胀的无机类粒子照射光，通过接受来自该无机类粒子的散射光而检测上述无机类粒子。