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公开(公告)号：CN1828825A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007746.0
申请日：2006-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种气体供给部件和等离子体处理装置，能够不滞留气体地向腔室供给气体。作为气体供给部件的导入气体喷淋头(32)，在气体孔(35)与腔室相对部侧的外缘部上具有相对于气体孔(35)的中心轴有n次旋转对称性(n是2以上的自然数)的斜面(201)。斜面(201)相对于电极板空间相对面的倾角是20°。此外，配置气体孔(35)的直径为2mm，彼此的间隔为5mm。
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公开(公告)号：CN1792474A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510023001.9
申请日：2005-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B08B1/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B5/02 , B08B7/00 , C23C4/10 , C23C4/18 , Y10T428/12667 , Y10T428/12771
Abstract: 一种可以可靠地抑制水的解吸附和附着的陶瓷喷涂构件－清洁方法。陶瓷喷涂构件的表面与水彼此化学结合，从而使水稳定。物理吸附在陶瓷喷涂构件表面上的水被脱附。
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公开(公告)号：CN1661433A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510052917.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 本发明提供一种能够降低颗粒对被处理体的污染的处理装置及去除该处理装置内的颗粒的方法。干蚀刻装置包括：对作为被处理体的晶片进行蚀刻处理而保持其内部为高真空的真空处理室、配设在真空处理室内的下部且兼作载置晶片载置台的下部电极、在真空处理室内与下部电极相对配设的上部电极、检测真空处理室的内壁温度的温度传感器、检测下部电极的温度的温度传感器、检测上部电极的温度的温度传感器、与上部电极连接并且向真空处理室导入规定气体的气体导入装置、以及根据真空处理室的内壁温度、下部电极的温度、以及上部电极的温度控制该规定的温度的控制装置。
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公开(公告)号：CN1606145A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410080756.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J2237/0048 , H01L21/67028
Abstract: 本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频电压施加在上下电极上生成等离子体时，以多阶段顺序施加高频电压。即，在最初步骤中，将能够等离子体点火的最小限度的高频电压施加在上下电极上，生成最小限度等离子体，然后，分阶段地增加所施加电压，生成规定的等离子体。
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公开(公告)号：CN116670597A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180086072.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明的目的在于提供一种预测控制对象中处理值的变化并利用预测结果的结构。本发明的管理装置，包括：预测模型部，学习了控制对象中的时刻T时的多变量控制值与所述控制对象中的时刻T+ΔT时的多变量处理值的输入输出关系；以及优化模型部，探索将由所述预测模型部输出的时刻T+ΔT时的多变量处理值与对应的目标值之间的各差值最小化的时刻T时的多变量控制值，并利用所探索出的该多变量控制值对所述控制对象进行控制，其中，在存在来自管理所述预测模型部的代理部的请求时，所述预测模型部对以指定的控制值对所述控制对象进行控制的情况下的所述控制对象中的时刻ΔT后的多变量处理值进行预测，并输出至所述代理部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113557797A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020699.1
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/505
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。分隔板具有绝缘性，将处理容器的内部分隔为载置被处理体的反应室和生成等离子体的等离子体生成室。此外，分隔板在等离子体生成室侧的面设置第一电极，形成有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所包含的活性种供给到反应室的多个贯通孔。第二电极与第一电极相对地配置在等离子体生成室。在等离子体生成室生成等离子体时，电功率供给部对第一电极和第二电极中的任一者供给将多个频率的高频电功率进行相位控制并叠加而成的高频电功率。
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公开(公告)号：CN113533266A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110410813.8
申请日：2021-04-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及异物检查系统、异物检查方法、程序以及半导体制造装置。提供判定附着于检查对象的异物的位置以及种类的技术。是检查附着于检查对象的异物的异物检查系统，并通过具有以下部分来解决上述课题：光源部，向上述检查对象照射激励光；检测部，检测照射上述激励光而产生的荧光的发光；判定部，根据上述荧光的发光判定附着于上述检查对象的异物的位置以及种类；以及输出部，输出上述判定部的判定结果。
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公开(公告)号：CN112513324A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050065.8
申请日：2019-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/318
Abstract: 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。
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公开(公告)号：CN111986990A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010413378.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033
Abstract: 本发明提供一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置，该硬掩膜进行了应力调整。所述硬掩模形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。
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公开(公告)号：CN108165954B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201711284172.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地排出气体的第一～第三划分区域(Z1～Z3)的气体排出部(4)排出气体。通过原料气体和O2气体的反应来形成SiO2膜，通过改变原料气体的供给量和O2气体的供给量，使SiO2膜的膜厚变化。因此，通过控制成原料气体的供给量和O2气体的供给量在第一～第三划分区域(Z1～Z3)之间彼此不同，能够调整晶片(W)的径向的膜厚，控制膜厚分布。
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