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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103184429B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210576159.9
申请日：2012-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其是在成膜装置中进行的成膜方法，该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台；在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域；以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域，该成膜方法包括如下步骤：不向第二反应气体供给区域供给反应气体，向第一反应气体供给区域供给第一反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第一反应气体，从而使该气体吸附于晶圆表面；接着该步骤，不向第一反应气体供给区域供给反应气体，向第二反应气体供给区域供给第二反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第二反应气体，从而使吸附于晶圆表面的第一反应气体与第二反应气体反应。
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公开(公告)号：CN113533266A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110410813.8
申请日：2021-04-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及异物检查系统、异物检查方法、程序以及半导体制造装置。提供判定附着于检查对象的异物的位置以及种类的技术。是检查附着于检查对象的异物的异物检查系统，并通过具有以下部分来解决上述课题：光源部，向上述检查对象照射激励光；检测部，检测照射上述激励光而产生的荧光的发光；判定部，根据上述荧光的发光判定附着于上述检查对象的异物的位置以及种类；以及输出部，输出上述判定部的判定结果。
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公开(公告)号：CN103184429A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210576159.9
申请日：2012-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其是在成膜装置中进行的成膜方法，该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台；在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域；以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域，该成膜方法包括如下步骤：不向第二反应气体供给区域供给反应气体，向第一反应气体供给区域供给第一反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第一反应气体，从而使该气体吸附于晶圆表面；接着该步骤，不向第一反应气体供给区域供给反应气体，向第二反应气体供给区域供给第二反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第二反应气体，从而使吸附于晶圆表面的第一反应气体与第二反应气体反应。
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公开(公告)号：CN116775370A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310213791.5
申请日：2023-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G06F11/14
Abstract: 本发明提供辅助热处理装置的恢复的信息处理装置、程序和恢复辅助方法。利用具有运转状况数据收集部、运转状况数据保存部和运转状况数据提供部的信息处理装置来解决上述技术问题，上述运转状况数据收集部构成为能够收集设置于制造工厂的多个热处理装置的运转状况数据，上述运转状况数据保存部构成为能够按照每个热处理装置保存运转状况数据，上述运转状况数据提供部构成为能够在多个热处理装置的运转强制停止了的情况下提供保存在运转状况数据保存部中的每个热处理装置的运转状况数据的一览信息作为辅助多个热处理装置的恢复的信息。
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