公开(公告)号：CN115881189A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211184303.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉

IPC: G11C15/04 ,  G11C11/56 ,  G11C8/14

Abstract: 提供了内容可寻址存储器和包括其的电子装置。该内容可寻址存储器可以包括连接到匹配线、字线和搜索线的存储器单元，存储器单元包括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。

公开(公告)号：CN114551719A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111419151.7

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  金尚昱 ,  李光熙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件、包括该半导体器件的半导体装置、以及包括该半导体器件的电子设备。该半导体装置包括多个半导体器件。半导体器件均在两个电极之间包括铁电层、导电金属氧化物层和半导体层。导电金属氧化物层可以在铁电层和半导体层之间。铁电层、导电金属氧化物层和半导体层可以都包括金属氧化物。导电金属氧化物层可以包括从由铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物及其任意组合组成的组中选择的一种或更多种材料。

公开(公告)号：CN113690315A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110256187.1

申请日：2021-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  金尚昱 ,  许镇盛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体晶体管，该氧化物半导体晶体管包括：包括沟槽的绝缘基板；在沟槽中的栅电极；在绝缘基板的表面上的氧化物半导体层，该表面通过沟槽暴露；以及在栅电极和氧化物半导体层之间的铁电层，其中氧化物半导体层可以包括源极区和漏极区，源极区和漏极区在绝缘基板上在沟槽外部并且彼此隔开，其中栅电极在源极区和漏极区之间。

公开(公告)号：CN113097303A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202010939673.9

申请日：2020-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  李银河 ,  金正华 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11502

Abstract: 提供了包括具有被调整的晶向的电介质层的电子器件、制造该电子器件的方法和包括该电子器件的存储器件。该电子器件包括提供在衬底上的籽晶层和提供在籽晶层上的电介质层。籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒。电介质层包括具有配向在与籽晶层的晶向相同的方向上的晶向的晶粒。

公开(公告)号：CN112582539A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011060074.6

申请日：2020-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  许镇盛 ,  李香淑 ,  金尚昱 ,  李润姓

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及薄膜结构体、其制造方法和包括其的电子器件。本文中公开了薄膜结构体，其包括在包括多个层的介电层上的第一导电层。所述多个层各自包括包含掺杂剂A的掺杂剂层和HfO2层以形成化合物HfxA1‑xOz(0

公开(公告)号：CN105280710B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201510336766.1

申请日：2015-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金泰豪 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/15 ,  H01L29/16

Abstract: 根据示例实施方式，电子装置包括：沟道层，包括电接触包含多个量子点的量子点层的石墨烯层；第一电极和第二电极，分别电连接到沟道层；和栅电极，构造为控制在第一电极和第二电极之间经由沟道层的电流。栅绝缘层可以在栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：CN104617135B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201410616370.8

申请日：2014-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  朴晟准 ,  李载昊 ,  许镇盛

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/772 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  H01L21/335 ,  H01L21/328

Abstract: 本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。

公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN103022106B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201210344858.0

申请日：2012-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁喜准 ,  朴晟准 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。

公开(公告)号：CN106169511A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610157055.2

申请日：2016-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  李相烨 ,  李殷奎 ,  李载昊 ,  朴晟准

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/101

Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。