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公开(公告)号：CN100495656C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510083364.1
申请日：2005-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴永洙 , 朴玩濬 , 亚历山大·A·萨拉宁 , 安德雷·V·佐托夫
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , Y10S977/742 , Y10S977/777
Abstract: 提供了形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法。所述纳米点包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的氧化硅层；均匀排列在所述氧化硅层上的多个纳米点；以及在对应于所述第一纳米点的区域中形成在所述第一纳米点之下的金属纳米点，其中所述金属纳米点形成在所述硅衬底和所述氧化硅层之间，或者形成在所述氧化硅层上。包括所述纳米点的光学器件或半导体器件的阈值电流减小并且保持特性得到改善。
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公开(公告)号：CN101246889A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810003879.X
申请日：2008-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L21/8221 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L29/7854
Abstract: 本发明提供一种具有多晶硅鳍的非易失性存储器晶体管、一种具有该晶体管的堆叠式非易失性存储装置、一种制造该晶体管的方法以及一种制造该装置的方法。所述装置可以包括从半导体基底向上突出的有源鳍。至少一个第一电荷存储图案可以形成在有源鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第一控制栅极线可以形成在至少一个第一电荷存储图案的顶表面上。至少一条第一控制栅极线可以与有源鳍交叉。层间介电层可以形成在至少一条第一控制栅极线上。多晶硅鳍可以形成在层间介电层上。至少一个第二电荷存储图案可以形成在多晶硅鳍的顶表面和侧壁上。至少一条第二控制栅极线可以形成在至少一个第二电荷存储图案的顶表面上，至少一条第二控制栅极线可以与多晶硅鳍交叉。
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公开(公告)号：CN101114570A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710005924.0
申请日：2007-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L27/146 , G02B3/00
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法、包括微透镜的图像传感器和制造该图像传感器的方法。形成微透镜的方法包括：在具有下结构的半导体衬底上形成硅图案；在该半导体衬底上形成盖膜以覆盖硅图案；退火硅图案和盖膜以将硅图案变形为具有杆形状的多晶硅图案并将盖膜变形为圆型微透镜的壳部；和通过半导体衬底与将盖膜变形为壳部时产生的壳部边缘之间的开口，用透镜材料填充壳部的内部。图像传感器包括通过上述方法或类似方法形成的微透镜和在该微透镜中心之下具有杆形状并由多晶硅形成的光电二极管部分。
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公开(公告)号：CN101064345A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610149433.9
申请日：2006-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该沟道；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101060139A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610148646.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化锌(ZnO)薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，所述非晶ZnO TFT包括：衬底；半导体沟道，在衬底上由包括n(GaO3)、m(InO3)和(ZnO)k的非晶ZnO基化合物半导体材料形成；源极和漏极电极，电接触半导体沟道的两端；栅极，形成围绕半导体沟道的电场；和栅极绝缘体，设置于栅极和半导体沟道之间。可以满足不等式条件n≥1.5、m≥1.5、k＞0。
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公开(公告)号：CN1908702A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610125718.9
申请日：2006-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B5/12 , G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062
Abstract: 一种反射器件可包括基板和形成在基板上的多反射层。该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过堆叠多个层组可形成所述多反射层，每个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理的层、和形成在该表面处理的层上的第二材料层。一种制造反射器件的方法包括制备基板和在基板上形成多反射层，该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过重复形成层组来实施形成多反射层。形成该层组包括：形成第一材料层、对第一材料层进行表面处理、和在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。
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公开(公告)号：CN1881091A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610106080.4
申请日：2006-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70241 , G03F7/70941
Abstract: 提供了一种离轴投影光学系统，其包括离轴设置的第一和第二反射镜。第一反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R1t和R1s。第二反射镜弯曲部分的切向和径向半径分别为R2t和R2s。从物点到第一反射镜10的光束入射角为i1，从第一反射镜10反射到第二反射镜30的光束入射角为i2。数值R1t、R1s、R2t、R2s、i1和i2可以满足下面的等式：R1tcosi1＝R2tcosi2，R1s＝R1tcos2i1，R2s＝R2tcos2i2。
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公开(公告)号：CN1828904A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007012.2
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C11/22 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233
Abstract: 本发明提供了具有双存储节点结构的半导体存储装置及其制备和操作方法。该半导体存储装置包括：衬底；形成在所述衬底上的第一晶体管；连接到所述第一晶体管的源极区域的第一存储节点；连接到所述第一晶体管的漏极区域的第二存储节点；以及共同接触所述第一存储节点和第二存储节点的板线。可以每单位单元写2位数据，增加了该半导体存储装置的集成度。
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公开(公告)号：CN1811593A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510121654.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 用于光刻的掩模及其制造方法。掩模包括衬底，由能反射电磁辐射的材料在衬底上形成的反射层，和以希望的图案形成的吸收图案以使得形成对于电磁辐射的吸收区和电磁射线通过的窗口区，其中吸收图案包括至少一个邻近窗口并且相对于反射层倾斜的侧面。该方法可以包括在衬底上形成由能够反射电磁射线的材料形成的反射层，在反射层上形成由能够吸收电磁射线的材料形成的吸收层，和图案化吸收层以形成具有至少一个邻近窗口的侧面并且具有相对于反射层倾斜的侧面的吸收图案。
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