公开(公告)号：CN100495656C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510083364.1

申请日：2005-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  朴玩濬 ,  亚历山大·A·萨拉宁 ,  安德雷·V·佐托夫

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/777

Abstract: 提供了形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法。所述纳米点包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的氧化硅层；均匀排列在所述氧化硅层上的多个纳米点；以及在对应于所述第一纳米点的区域中形成在所述第一纳米点之下的金属纳米点，其中所述金属纳米点形成在所述硅衬底和所述氧化硅层之间，或者形成在所述氧化硅层上。包括所述纳米点的光学器件或半导体器件的阈值电流减小并且保持特性得到改善。

公开(公告)号：CN1722382A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510083364.1

申请日：2005-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  朴玩濬 ,  亚历山大·A·萨拉宁 ,  安德雷·V·佐托夫

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/777

Abstract: 提供了形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法。所述纳米点包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上的氧化硅层；以及均匀排列在所述氧化硅层上的多个纳米点。包括所述纳米点的光学器件或半导体器件的阈值电流减小并且保持特性得到改善。