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公开(公告)号：CN101086968A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200610166770.9
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。
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公开(公告)号：CN101235541A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710192803.1
申请日：2007-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B29/06 , C30B13/24 , C30B25/02 , C30B29/60 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , H01L21/02675 , H01L29/42392 , H01L29/78696 , Y10T428/2962
Abstract: 一种制造单晶硅棒的方法可包括：在基底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；选择性地使硅在所述孔中生长；在所述孔和所述绝缘层上形成硅层；在所述硅层上沿不是关于所述孔的径向的方向形成棒图案；通过将激光束照射到所述硅层上熔化所述硅层并在对应于所述孔的位置产生成核位置，使所述硅层结晶。根据所述方法，可形成没有缺陷的单晶硅棒。
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公开(公告)号：CN101064258A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610126325.X
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02516 , H01L21/02532
Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101086968B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610166770.9
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78678 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。
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公开(公告)号：CN101114570A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710005924.0
申请日：2007-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L27/146 , G02B3/00
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02327
Abstract: 本发明提供了一种形成微透镜的方法、包括微透镜的图像传感器和制造该图像传感器的方法。形成微透镜的方法包括：在具有下结构的半导体衬底上形成硅图案；在该半导体衬底上形成盖膜以覆盖硅图案；退火硅图案和盖膜以将硅图案变形为具有杆形状的多晶硅图案并将盖膜变形为圆型微透镜的壳部；和通过半导体衬底与将盖膜变形为壳部时产生的壳部边缘之间的开口，用透镜材料填充壳部的内部。图像传感器包括通过上述方法或类似方法形成的微透镜和在该微透镜中心之下具有杆形状并由多晶硅形成的光电二极管部分。
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公开(公告)号：CN101064258B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200610126325.X
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02516 , H01L21/02532
Abstract: 本发明提供了高取向性硅薄膜和三维半导体器件的形成方法以及三维半导体器件。形成高取向性硅薄膜的方法包含：在衬底上形成沿预定方向取向的高取向性AlN薄膜，通过氧化该高取向性AlN薄膜而在AlN薄膜表面上形成高取向性Al2O3层，以及在该高取向性Al2O3层上生长硅薄膜。
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公开(公告)号：CN101226963A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710300799.6
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/0688 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种用于交叉点存储器的用作选择晶体管的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、沟道、源极和漏极。可在部分衬底上形成该栅极。可在该衬底和该栅极上形成栅极绝缘层。该沟道包括ZnO，并且可形成在该栅极之上的该栅极绝缘层上。该源极和漏极接触该沟道的侧面。
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公开(公告)号：CN101086969A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710088997.0
申请日：2007-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/268
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L27/1281
Abstract: 本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。
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