公开(公告)号：CN1140925C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN99103428.7

申请日：1999-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具本宰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/31 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明公开了一种改进的半导体器件及其制造方法，其中没有导致由叠加层间绝缘层引起的铁电电容器特性的退化。该新方法在电容器上形成层间绝缘层，以便具有相对于电容器的拉应力。层间绝缘层可以是低温氧化层，并是PE-TEOS、USG和ECR-OX层中的一种。

公开(公告)号：CN1230779A

公开(公告)日：1999-10-06

申请号：CN99103428.7

申请日：1999-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具本宰

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/31 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/55 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明公开了一种改进的半导体器件及其制造方法,其中没有导致由叠加层间绝缘层引起的铁电电容器特性的退化。该新方法在电容器上形成层间绝缘层,以便具有相对于电容器的拉应力。层间绝缘层可以是低温氧化层,并是PE－TEOS、USG和ECR－OX层中的一种。

公开(公告)号：CN1828904A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610007012.2

申请日：2006-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  具本宰 ,  朴允童 ,  朴永洙

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

Abstract: 本发明提供了具有双存储节点结构的半导体存储装置及其制备和操作方法。该半导体存储装置包括：衬底；形成在所述衬底上的第一晶体管；连接到所述第一晶体管的源极区域的第一存储节点；连接到所述第一晶体管的漏极区域的第二存储节点；以及共同接触所述第一存储节点和第二存储节点的板线。可以每单位单元写2位数据，增加了该半导体存储装置的集成度。

公开(公告)号：CN119451131A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410651709.1

申请日：2024-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具本宰 ,  宋苏智 ,  宋荣善

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件，包括：单元块，每个单元块包括其中交替地设置有电极结构和绝缘结构的折叠结构，其中，电极结构和绝缘结构在竖直方向上延伸并且彼此连接以在平面图中具有形成绒毛形状的至少两个U形结构，电极结构包括竖直电极和切换材料层，并且单元块沿第一水平方向和与第一水平方向相交的第二水平方向设置；以及栅极堆叠结构，包括沿着电极结构的侧壁在竖直方向上交替堆叠的栅电极和层间绝缘层。