公开(公告)号：CN109358300A

公开(公告)日：2019-02-19

申请号：CN201811143890.6

申请日：2018-09-29

Applicant: 河南理工大学

Inventor： 吕辉 ,  胡治国 ,  李良 ,  梁智超

IPC: G01R33/04 ,  B81B1/00

CPC classification number: G01R33/04 ,  B81B1/00 ,  B81B2201/0292

Abstract: 本发明公开了一种微型磁通门传感器，采用三层立体结构铁芯，铁芯上层和铁芯下层为矩形，铁芯中间层为阵列柱结构连接上下层；激励线为多条直线段首尾相连组成的折线形结构，在铁芯中间层的阵列柱结构中绕行；感应线圈为三维螺线管结构垂直铁芯长边缠绕，三维螺线管线圈上下层之间的连通部分由一个连接导体组成；骨架使用硅片作为基底制作，用于承载铁芯、激励线、感应线圈、焊盘；激励线和感应线圈均由设置在传感器两端的焊盘引出。该微型磁通门的激励线布设在立体铁芯中间层的阵列柱之间，同时又夹在铁芯上层和铁芯下层之间，被三层立体铁芯所包裹，有利于促进铁芯整体的均匀饱和，降低激励电流；感应线圈采用三维螺线管结构保证了磁场耦合的紧密，降低了漏磁，提高了激励电流的效率，能有效降低微型磁通门的功耗。

公开(公告)号：CN108313972A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810220141.2

申请日：2018-03-16

Applicant: 苏州钽氪电子科技有限公司

Inventor： 沈方平

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/14

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00373 ,  G01N27/14

Abstract: 本发明提供一种氢气传感器及其加工方法和用途，属于氢气传感器领域。通过MEMS加工工艺获得的氢气传感器，包括硅基底，所述硅基底上表面设有绝热层，所述硅基底下表面开有一对延伸至所述绝热层的绝热槽，所述绝热层表面设有位于绝热槽的正上方的第一贵金属催化层和第二贵金属催化层，所述第一贵金属催化层的表面覆盖有一层隔绝空气层，所述第二贵金属催化层开有气孔，所述第一贵金属催化层和所述第二贵金属催化层与一对低温度系数参比电阻串联并组成惠斯通电桥。所述硅基底上方设置有温度温敏电阻。本发明提供的氢气传感器可以同时在催化燃烧和热导两种模式下工作，体积小，功耗低，响应快，使用寿命长。

公开(公告)号：CN106082108B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201510736299.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥 ,  詹志仁 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  谢元智

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。

公开(公告)号：CN107743433A

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201680030707.4

申请日：2016-05-19

Applicant: TTY-赛提欧

Inventor： P·萨克蒂 ,  P·卡利奥

IPC: B25J7/00 ,  B25J13/08 ,  B25J15/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B25J13/082 ,  B25J7/00 ,  B25J15/00 ,  B25J15/0028 ,  B81B2201/0292 ,  B81C99/002 ,  B81C2201/032

Abstract: 本发明涉及一种用于操纵微型物体和测量施加在所述微型物体上的力的微型操纵装置，该微型操纵装置包括微型夹具和连接到所述微型夹具的力传感器。为了提供这种操纵装置，其构造相当简单且坚固，比其它用于这种目的的典型装置便宜，并且在相对位移高达1mm或更大的情况下仍然是有用且容易适用于测量在10μN至1000mN的范围内的线性力，该装置适用于宽范围的具有微尺度尺寸的材料和组件，本发明提出该装置包括作为力传感器的微型弹簧。

公开(公告)号：CN104671186B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410694629.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.科尔布 ,  A.迈泽 ,  T.施勒泽 ,  W.维尔纳

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  G01H1/00 ,  G01H11/06 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/12 ,  G01N27/223 ,  G01P15/125

Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。

公开(公告)号：CN107121460A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710069088.6

申请日：2017-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈东村 ,  朱家骅 ,  黄睿政 ,  郑钧文 ,  谢正祥

IPC: G01N27/22 ,  B81B7/00

CPC classification number: G01N27/223 ,  G01N27/226 ,  G01N27/221 ,  B81B7/0009 ,  B81B2201/0292 ,  G01N27/225 ,  G01N2027/222

Abstract: 一种微机电系统(micro‑electro mechanical system,MEMS)湿度感测器，包含第一基板、第二基板及感测结构。第二基板与第一基板大致平行。感测结构介于第一基板与第二基板之间，并接合第一基板的一部分及第二基板的一部分，其中第二基板包含导电层面对感测结构，且介于第一基板与感测结构之间的第一空间与外部连通或隔离，且介于导电层与感测结构之间的第二空间与气氛连通，且感测结构、第二空间及导电层构成设置用以量测气氛的介电常数的电容器，而气氛的湿度从气氛的介电常数、气氛的压力及温度导出。

公开(公告)号：CN104345106B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410375754.5

申请日：2014-08-01

Applicant: 克洛纳测量技术有限公司

Inventor： W.奎佩尔斯

IPC: G01N30/68

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00341 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/626 ,  G01N30/6095 ,  G01N30/68 ,  G01N2030/8881

Abstract: 本发明涉及用于制造功能单元的方法和相应的功能单元，具体而言描述且示出了用于制造带有气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)的功能单元的方法。本发明的目的在于，提出一种用于制造功能单元的方法，该方法在现有技术的扩展方面提供了改进。该目的在讨论的方法方面以如下方式来实现，即使得气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)一起在多层陶瓷(6)中制造。本发明此外涉及利用该方法制造的功能单元。

公开(公告)号：CN105453408A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044811.X

申请日：2014-07-30

Applicant: 国立大学法人静冈大学 ,  欧姆龙株式会社 ,  株式会社鹭宫制作所

Inventor： 铃木雅人 ,  森昭登 ,  桥口原 ,  杉山达彦 ,  今本浩史 ,  大场正利 ,  三屋裕幸 ,  芦泽久幸 ,  石桥和德

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/008 ,  B81B3/0054 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/051 ,  F16K31/02 ,  G02B26/02 ,  H01H59/00

Abstract: 驱动器具备：具备固定电极及可动电极的静电驱动机构；由静电驱动机构驱动的第一可动部；弹性支撑第一可动部的第一弹性支撑部；形成于固定电极及可动电极的至少一方的驻极体；以及控制向静电驱动机构的电压施加的驱动控制部。在驱动器上，在由驻极体引起的静电力与第一弹性支撑部的弹性力平衡的稳定位置或设于其附近的稳定位置设定多个对第一可动部进行定位的稳定状态。通过对静电驱动机构施加电压，能够使第一可动部从任意的稳定位置向其他稳定位置移动。

公开(公告)号：CN105399041A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510672491.9

申请日：2015-10-19

Applicant: 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司

Inventor： 杨涛

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01R33/00 ,  G01R33/09

CPC classification number: G01R33/09 ,  B81B1/00 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00531 ,  G01R33/0052

Abstract: 本发明公开了一种传感器的微凸状氧化层结构及其制造方法，包括衬底Si和氧化层SiO2，所述氧化层SiO2附着在所述衬底Si上，所述氧化层SiO2形成一向上拱起的凸包位于所述衬底Si的上面，使用光刻胶PR烘烤技术，搭配刻蚀技术，利用光刻胶PR和氧化层SiO2的刻蚀选择比完成一定角度的微凸块的氧化层结构的加工，该传感器的微凸状氧化层结构及其制造方法与其它加工方式相比能够缩短研发周期，降低生产成本。

公开(公告)号：CN104817053A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510028795.1

申请日：2015-01-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: B81B7/02 ,  G01L1/10 ,  G01C5/06

CPC classification number: B81B3/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明提供MEMS器件、压力传感器、高度计、电子设备和移动体，能够减少覆盖层与功能元件接触的情况。本发明的MEMS器件具有：基板(6)；传感器元件(7)(功能元件)，其配置于基板(6)上；包围壁，其配置于基板(6)的一面侧，并在俯视时包围传感器元件(7)；覆盖层(87)，其在俯视时与基板(6)重叠，并与包围壁连接；以及加强层(821)，其配置于覆盖层(87)和传感器元件(7)之间，包围壁具有：基板侧包围壁(88)；和覆盖层侧包围壁(89)，其比基板侧包围壁(88)靠近覆盖层(87)侧，且该覆盖层侧包围壁(89)的至少一部分在俯视时被配置于比基板侧包围壁(88)靠内侧的位置。