公开(公告)号：CN104347579A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410374171.0

申请日：2014-07-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松本明 ,  三浦喜直 ,  中柴康隆

IPC: H01L23/52

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，其中减小了产生自布线的电阻分量。以第一方向(图中y方向)并排地排列多个晶体管单元，多个晶体管单元的每一个具有多个晶体管。所述晶体管的栅极以第一方向延伸。第一源极布线在第一晶体管单元和第二晶体管单元之间延伸，而第一漏极布线在第二晶体管单元和第三晶体管单元之间延伸。第二漏极布线在第一晶体管单元的与第一源极布线延伸的一侧相反的一侧上延伸；而第二源极布线在第三晶体管单元的与第二源极布线延伸的一侧相反的一侧上延伸。

公开(公告)号：CN103487743A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310384734.X

申请日：2008-12-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: G01R31/303

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体装置（100）包括：半导体衬底，其包括半导体芯片形成区；芯片内部电路，其被设置在半导体衬底的半导体芯片形成区之内；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收电感器；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收焊盘；功率接收电感器，其具有沿着耦合到芯片内部电路的半导体衬底的外部边缘设置的直径；耦合到芯片内部电路的功率接收焊盘，功率接收电感器围绕芯片内部电路、信号发送/接收电感器、信号发送/接收焊盘和功率接收焊盘，并且，信号发送/接收电感器之一和信号发送/接收焊盘之一并联耦合到芯片内部电路，并且功率接收电感器和功率接收焊盘并联耦合到芯片内部电路。

公开(公告)号：CN101621065B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200910151004.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/13 ,  H01L27/04 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01F2038/143 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/10 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种电路器件。电路器件包括第一发送电感器、第一绝缘层、第一接收电感器、以及第二接收电感器。第一发送电感器由螺旋状导电图案构成并且接收被发送的信号。第一接收电感器位于通过第一绝缘层与第一发送电感器重叠的区域中。第一接收电感器由螺旋状导电图案构成，并且生成与被输入至第一发送电感器的被发送的信号相对应的接收的信号。第二接收电感器被串联地连接至第一接收电感器，并且由螺旋状导电图案构成。第二接收电感器响应于相同方向的磁场生成与由第一接收电感器生成的电压反向的电压。

公开(公告)号：CN102142404A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010593030.X

申请日：2010-12-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  小川健太

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/561 ,  H01L23/645 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和通信方法。半导体芯片设置在其有源表面向上的安装板的第一表面上。电感器被提供在有源表面侧，也就是，被提供在半导体芯片的不面对安装板的表面侧处，以便在半导体芯片和外部之间进行通信。密封树脂层被形成在安装板的第一表面上，以便密封半导体芯片。另外，凹部或开口(在本实施例中的凹部)被提供在密封树脂层中。当在平面图中观看时，凹部在其内部包括电感器。

公开(公告)号：CN120018569A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411478058.7

申请日：2024-10-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  五十岚孝行

IPC: H10D80/20 ,  H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H01F27/30 ,  H10D80/30 ,  H10D89/10

Abstract: 本公开涉及半导体设备和逆变器系统。一种半导体设备，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和第三半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个包括第一开关。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的另一个包括第二开关。第三半导体芯片包括第一变压器。当第一开关被关断而第二开关被导通时，信号通过第一变压器从第一半导体芯片被发射到第二半导体芯片。当第二开关被关断而第一开关被导通时，信号通过第一变压器从第二半导体芯片被发射到第一半导体芯片。

公开(公告)号：CN118352236A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311681167.4

申请日：2023-12-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳川洋 ,  中柴康隆 ,  森和久 ,  长谷川浩一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/34

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块。根据本申请，可以提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有第一区域和第二区域，第一区域中形成有MOSFET，第二区域中形成有温度传感器晶体管。本体区域被形成在第一区域的半导体衬底中，并且基极区域被形成在第二区域的半导体衬底中。源极区域被形成在本体区域中，并且发射极区域被形成在基极区域中。第一列区域被形成在位于本体区域下方的半导体衬底中，并且第二列区域被形成在位于基极区域下方的半导体衬底中。

公开(公告)号：CN117059602A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310246244.7

申请日：2023-03-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  波多俊幸

IPC: H01L23/498 ,  H01L29/417 ,  H01L25/16

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：经由第一接合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。这里，第一半导体芯片具有：位于最上层中的保护膜；以及在保护膜的第一开口部分的内侧从保护膜暴露的第一焊盘电极。此外，第二半导体芯片经由具有绝缘性质的第二接合材料安装在导电材料上，该导电材料布置在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。

公开(公告)号：CN109975925B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201811612795.6

申请日：2018-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  绵贯真一

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一体形成了与微型光学器件形成在同一层上的光波导和尺寸大不相同的光斑尺寸转换器。半导体器件具有用作光斑尺寸转换器的光波导部分。光波导部分包括在厚度方向上穿透层间绝缘层的多个光波导本体。

公开(公告)号：CN115732536A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210920036.6

申请日：2022-08-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小清水亮 ,  中柴康隆 ,  河合彻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80

Abstract: 一种半导体衬底具有表面以及从该表面向上突出的凸出部分。n型漂移区域具有位于凸出部分中的部分。n型漏极区域具有比n型漂移区域更高的n型杂质浓度，并且在平面图中，n型漏极区域被布置在凸出部分中以及n型漂移区域上，使得n型漏极区域和栅极电极将n型漂移区域夹在中间。

公开(公告)号：CN105789307B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201510821859.3

申请日：2015-11-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河合徹 ,  中柴康隆 ,  秋山丰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 在不增加半导体芯片的面积尺寸的情况下，改善了半导体器件的性能。例如，功率晶体管的源极电极和电容元件的上部电极具有重叠部分。换而言之，电容元件的上部电极通过电容绝缘膜在功率晶体管的源极电极之上形成。即，功率晶体管和电容元件在半导体芯片的厚度方向上以层压的方式布置。结果就是，可以在抑制半导体芯片的平面尺寸增加的同时增加与功率晶体管电连接的电容元件。