半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104241258B

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201410249835.0

    申请日:2014-06-06

    Abstract: 本发明涉及半导体器件。本发明能够减少在第一半导体芯片中产生并通过硅通孔传递到第二半导体芯片的热量。第一半导体芯片具有第一硅通孔。每个第一硅通孔被布置于成m行和n列(m>n)排布的网格点中的任意一个上。第一半导体芯片还具有第一电路形成区。第一电路被形成于第一电路形成区内。第一电路在与第二半导体芯片通信的同时执行信号处理。在平面图中,第一电路形成区不与通过耦接成m行和n列排布的最外侧网格点来界定的硅通孔区重叠。在平面图中,一些连接端子位于第一电路形成区与硅通孔区之间。

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