公开(公告)号：CN1248287C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02152955.8

申请日：2002-11-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G06F9/45

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。

公开(公告)号：CN1591778A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068570.0

申请日：2004-08-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  浜田崇

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78627

摘要： 在辐射大范围输出激光束可选择性地辐射的情况下，可使用与常规不同的材料和结构的掩模来辐射激光束。本发明的一个特征是通过使用反射激光束的掩模来选择性地辐射将激光束。该掩模是由层迭至少第一材料和第二材料组成的迭层薄膜形成的。当第一材料的折射率为n1；第二材料的折射率为n2；且折射率满足n1＜n2时，为了用激光束从基片的上表面的一侧辐射，在基片上层迭非晶半导体薄膜、第一材料和第二材料。

公开(公告)号：CN1540819A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410035100.4

申请日：2004-04-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 安部宽子 ,  下村明久 ,  濑尾哲史 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01S3/16 ,  H01S3/00 ,  H05B33/00

CPC分类号： H01S5/041 ,  H01S3/14 ,  H01S3/1628

摘要： 提供振荡波长在可见光范围内的激光振荡器并且增强光子输出的转换效率，进一步抑制能量消耗。该激光振荡器包含在基底上形成的发光元件和光谐振器。发光元件包括发光层、阳极和阴极，其中发光层夹在阳极和阴极之间。发光层包含主体材料和磷光材料，磷光材料以不小于10wt％的浓度分散在主体材料中。阳极和阴极包含透光性能。在来自磷光材料的受激准分子状态的发光中，与发光层相交的单向光被光谐振器放大。

公开(公告)号：CN1435864A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102283.9

申请日：2003-01-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和 ,  秋叶麻衣

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明的目的在于提供一种制造半导体器件的方法，以及一种使用该制造方法制造的半导体器件，其中使用激光晶化方法，它能够防止在TFT沟道形成区中形成晶界，并且能够防止所有由于晶界导致的TFT迁移率的显著下降、接通电流降低和关断电流增加。形成具有条形形状或矩形形状的凹陷和凸起。用连续波激光沿绝缘膜条形形状的凹陷和凸起、或沿矩形形状的纵轴方向或横轴方向辐照形成在绝缘膜上的半导体膜。注意虽然此时最优选使用连续波激光，但也可以使用脉冲波激光。

公开(公告)号：CN1428873A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02160521.1

申请日：2002-12-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 矶部敦生 ,  大力浩二 ,  柴田宽 ,  小久保千穗 ,  荒尾达也 ,  早川昌彦 ,  宫入秀和 ,  下村明久 ,  田中幸一郎 ,  山崎舜平 ,  秋叶麻衣

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/10 ,  B23K26/702 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/78603

摘要： 具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

公开(公告)号：CN1409382A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143428.X

申请日：2002-09-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC分类号： H01L21/324 ,  G02F1/35

CPC分类号： H01L21/02675 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/352 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/268 ,  H01L21/283 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/14625

摘要： 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN107980178B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201680048760.7

申请日：2016-08-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 笹川慎也 ,  浜田崇 ,  下村明久 ,  冈本悟 ,  栃林克明

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/4763 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/465

摘要： 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。

公开(公告)号：CN104867981B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201510086792.3

申请日：2015-02-17

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：CN107484435A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201680019156.1

申请日：2016-03-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  下村明久

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的目的之一是使半导体装置具有良好的电特性或者提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置是包括第一氧化物膜的晶体管。第一氧化物膜包含铟、元素M以及锌，第一氧化物膜包括铟、元素M以及锌的原子数比满足铟：元素M：锌＝xb：yb：zb的区域。xb：yb：zb满足(1‑α1)：(1+α1)：m1或(1‑α2)：(1+α2)：m2，α1为‑0.43以上且0.18以下，α2为‑0.78以上且0.42以下，m1及m2大于0.7且1以下。

公开(公告)号：CN107210230A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680008956.3

申请日：2016-01-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 下村明久 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包含In、M及Zn。M表示Al、Ga、Y或Sn。在氧化物半导体膜的In的比例为4的情况下，M的比例为1.5以上且2.5以下且Zn的比例为2以上且4以下。