公开(公告)号：CN105659366B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201480057976.0

申请日：2014-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·查特吉 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的实施例总体上提供用于在基板上形成氮化硅层的方法。在一个实施例中，公开了一种用于在低于300摄氏度的温度下，使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)来形成氮化硅层的方法。用于远程等离子体CVD工艺的前体可包括：三(二甲胺基)硅烷(TRIS)、二氯硅烷(DCS)、三硅烷胺(TSA)、双叔丁基胺基硅烷(BTBAS)、六氯二硅烷(HCDS)或六甲基环三硅氮烷(HMCTZ)。

公开(公告)号：CN106463362B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201580025098.9

申请日：2015-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·可罕 ,  S·文卡特拉曼 ,  J·D·平森三世 ,  J-G·杨 ,  N·K·英格尔 ,  梁奇伟

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。

公开(公告)号：CN107078014B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201580055951.1

申请日：2015-09-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·朴 ,  Y·朱 ,  E·C·苏亚雷斯 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·黄

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/22 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

Abstract: 在实施例中，一种等离子体源包括：第一电极，配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔；绝缘体，设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触；以及第二电极，设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体，使得所述第一和第二电极以及所述绝缘体界定等离子体生成腔。所述第二电极配置成用于使来自所述等离子体生成腔的等离子体产物移动通过所述第二电极而前往工艺腔室。电源跨所述第一和第二电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体，从而产生所述等离子体产物。所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘体中的一者包括端口，所述端口提供来自所述等离子体的光学信号。

公开(公告)号：CN108292601A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680062587.6

申请日：2016-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： C·偌德瑞格 ,  张景春 ,  纪丽丽 ,  王安川 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  Y10S438/905

Abstract: 本公开提供了用于在基板蚀刻之后清洗腔室部件的方法。在一个例子中，一种用于清洗的方法包括以下步骤：使用等离子体活化蚀刻气体混合物，以产生活化的蚀刻气体混合物，蚀刻气体混合物包含含氢前体和含氟前体；及将活化的蚀刻气体混合物输送到工艺腔室的处理区域，工艺腔室具有位于其中的边缘环，边缘环包含催化剂和抗催化材料，其中活化的气体从边缘环移除抗催化材料。

公开(公告)号：CN104620363B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201380047312.1

申请日：2013-08-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·H·朴 ,  Y·王 ,  J·张 ,  A·王 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

Abstract: 兹描述蚀刻经图案化异质结构上的暴露的氧化硅的方法，且该方法包括自远端等离子体蚀刻所产生的气相蚀刻。远端等离子体激发含氟前体。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区，等离子体流出物在基板处理区与水蒸气结合。藉此产生的反应物蚀刻经图案化异质结构，以在不同的蚀刻速率下移除两个单独的相异氧化硅区。该方法可被用来在移除较少高密度氧化硅的同时移除低密度氧化硅。

公开(公告)号：CN105659366A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057976.0

申请日：2014-10-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·查特吉 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的实施例总体上提供用于在基板上形成氮化硅层的方法。在一个实施例中，公开了一种用于在低于300摄氏度的温度下，使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)来形成氮化硅层的方法。用于远程等离子体CVD工艺的前体可包括：三(二甲胺基)硅烷(TRIS)、二氯硅烷(DCS)、三硅烷胺(TSA)、双叔丁基胺基硅烷(BTBAS)、六氯二硅烷(HCDS)或六甲基环三硅氮烷(HMCTZ)。

公开(公告)号：CN103843117A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280049052.7

申请日：2012-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32137

Abstract: 描述了蚀刻图案化的非均相结构上的暴露硅的方法，且方法包括自含氟前体与含氢前体形成的远端等离子体蚀刻。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区中，等离子体流出物在基板处理区中与硅的暴露区反应。等离子体流出物与图案化的非均相结构反应，以选择性移除硅同时非常缓慢地移除其他暴露材料。硅的选择性部分是因为含氢前体在远端等离子体中的数量优势，此数量优势氢终止图案化的非均相结构上的表面。含氟前体的低很多流动逐渐以氟取代氢终止硅上的氢，藉此自硅的暴露区选择性地移除硅。方法亦可用来在远快于氧化硅、氮化硅与多种含金属材料下选择性地移除硅。

公开(公告)号：CN103154102A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180047951.9

申请日：2011-10-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·O·索利斯 ,  纪丽丽 ,  赵月 ,  A·B·马利克 ,  N·K·英格尔

IPC: C08J7/04 ,  C08J5/18 ,  C08L83/00 ,  C09D183/00 ,  H01B3/46

CPC classification number: H01L21/02326 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明描述形成介电质层的方法。该方法可包含在基板上形成含硅氮氢层。该方法包含将该含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将含硅氮氢层转变为含硅氧层。在臭氧硬化后，退火之前，在低温下将该层曝露至胺-水组合物中。胺硬化的存在允许在退火期间，在低温下更快速且完全地发生向含硅氧层的转化。该胺硬化亦使退火可使用较低氧化性的环境来实现向含硅氧层的转化。

公开(公告)号：CN103038868A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037215.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·李 ,  J·梁 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 在此描述空洞体积比例降低的间隙填充氧化硅层的形成。该沉积涉及在缺少氧较可流动的间隙填充层之前形成富含氧较不可流动的衬垫层。然而，该衬垫层在与间隙填充层相同的腔室内沉积。衬垫层与间隙填充层二者可通过使自由基成份与未激发的含硅前体（即不直接通过施加等离子体功率而被激发）组合而形成。衬垫层比间隙填充层具更多的氧含量并且更加共形地沉积。间隙填充层的沉积速率可藉由衬垫层的存在而增加。间隙填充层可含有硅、氧与氮，并且该间隙填充层在高温下转化以含有更多氧与更少氮。间隙填充衬垫的存在提供了间隙填充层下方的氧源，以增大在转化期间引入的气相氧。

公开(公告)号：CN102498551A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080040606.8

申请日：2010-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/762 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76837

Abstract: 揭示了一种形成氧化硅层的方法。该方法可包含下列步骤：混合一种无碳的含硅与氮前驱物及自由基前驱物，并沉积一种含硅与氮层于基材上。接着将含硅与氮层转变为氧化硅层。