公开(公告)号：CN111092018A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911013778.5

申请日：2019-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  杨建勋 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  林佛儒 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一结构，其包括垂直堆叠在一基底上方的多个纳米线；沉积一介电材料层，其围绕上述纳米线；对上述介电材料层的一表面部分施行一处理工艺；选择性蚀刻上述介电材料层的上述表面部分；重复施行上述处理工艺与上述选择性蚀刻的步骤，直到局部暴露上述纳米线；以及形成一栅极结构，其接合上述纳米线。

公开(公告)号：CN109860116A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811183258.4

申请日：2018-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾晋沅 ,  沈育佃 ,  林纬良 ,  赖志明 ,  江国诚 ,  朱熙甯 ,  林立德 ,  刘如淦

IPC: H01L21/8234

Abstract: 提供了一种图案化方法。在图案化基板以形成预定图案时，减少角落圆润化的方法包括：将预定图案分为第一图案与第二图案，第一图案形成角落的第一边缘，而第二角落形成角落的第二边缘。第二图案的至少一部分与第一图案重叠，因此第一边缘与第二边缘相交以形成预定图案的角落。方法亦包括形成第一图案于基板上的第一掩模层中以露出基板，并形成第二图案于第一掩模层中以露出基板。接着蚀刻第一掩模层所露出的基板以获得图案。

公开(公告)号：CN109585560A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811141502.0

申请日：2018-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭书豪 ,  张容浩 ,  黄昭宪 ,  林立德 ,  江国诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，包括将第一半导体基板通过一绝缘层结合在第二半导体基板上，及蚀刻第一半导体基板以形成鳍的上部，其中绝缘层的第一部分通过蚀刻第一半导体基板而曝露。保护层通过使用原子层沉积制程而沉积于鳍上部上方及绝缘层的第一部分的顶表面上方。蚀刻位于鳍上部的顶表面上方及绝缘层的第一部分的顶表面上方的保护层的第一部分，其中保护层的第二部分保留在鳍上部的侧壁上。绝缘层的第一部分被蚀刻，绝缘层的第二部分保留在鳍上部下。蚀刻第二半导体基板以在绝缘层的第二部分下形成鳍底部。

公开(公告)号：CN108231563A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711035734.3

申请日：2017-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  林立德 ,  黄玉莲

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括形成栅极电极结构于半导体基板的第一区域之上，和通过使卤化物与氧气反应，选择性地形成覆盖栅极电极结构的氧化物层，以增加栅极电极结构的高度。卤化物可以是四氯化硅，而氧化物层可以是二氧化硅。栅极电极结构可以是虚设栅极电极，其在随后被移除，并且被另一个栅极电极结构取代。

公开(公告)号：CN100499024C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610170121.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林立德 ,  蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体包括具有第一流量的盐酸；使用第三来源气体执行第三低压化学气相沉积工艺，第三来源气体包括具有第二流量的盐酸；其中，第一流量低于第二流量。因此，通过较高的盐酸流量，硅锗残余物可在第三低压化学气相沉积工艺中有效地去除。

公开(公告)号：CN222261067U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420200758.9

申请日：2024-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  时定康 ,  林立德 ,  蔡邦彥 ,  洪宗佑 ,  林斌彦 ,  白佳灵

IPC: H01L27/092

Abstract: 在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置，包括：位于半导体鳍片之上的源极/漏极区；位于半导体鳍片之上且邻近源极/漏极区的栅极结构，栅极结构包括栅极间隔层，栅极间隔层具有第一粗糙度；位于源极/漏极区之上的多个第介电层；第一接触插塞，电性耦合至源极/漏极区并延伸穿过第一介电层；以及第一氮化物衬件，介于第一接触插塞与第一介电层之间，第一氮化物衬件具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度。