公开(公告)号：CN113113357A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110156301.3

申请日：2021-02-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李培玮 ,  蔡邦彦 ,  赵皇麟 ,  洪宗佑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置具有超晶格结构及位于具有埋入式隔离结构的基底上。上述方法包括形成一蚀刻停止层于一基底上；形成一超晶格结构于蚀刻停止层上；沉积一隔离层于超晶格结构上；沉积一半导体层于隔离层上；形成一双层隔离结构于半导体层上、去除基底及蚀刻停止层；蚀刻超晶格结构、隔离层、半导体层及双层隔离结构以形成一鳍部结构；以及形成一全绕式栅极结构于鳍部结构上。

公开(公告)号：CN115332173A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210680385.5

申请日：2022-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家宏 ,  王菘豊 ,  梁顺鑫 ,  张旭凯 ,  时定康 ,  洪宗佑 ,  蔡邦彦 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开描述了一种具有背面接触结构的半导体装置的形成方法。所述方法包括形成半导体装置在基板的第一侧上。所述半导体装置包括源极/漏极(S/D)区域。所述方法更包括蚀刻在基板的第二侧上的S/D区域的一部分，以形成开口；及形成外延接触结构在开口中的S/D区域上。第二侧与第一侧相对。外延接触结构包括与在开口中的S/D区域接触的第一部分及在第一部分上的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分。

公开(公告)号：CN115440594A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210873719.0

申请日：2022-07-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王振翰 ,  林耕竹 ,  洪宗佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了具有接触结构的不同配置的半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构，在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成n型源极/漏极(S/D)区域和p型源极/漏极区域，在n型S/D区域和p型S/D区域上分别形成第一氧化停止层和第二氧化停止层，在第一氧化停止层和第二氧化停止层上分别外延生长第一半导体层和第二半导体层，将第一半导体层和第二半导体层分别转化为第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层，在p型S/D区域上形成第一硅锗化物层，以及在第一硅锗化物层和n型S/D区域上形成第二硅锗化物层。

公开(公告)号：CN113488465A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110409617.9

申请日：2021-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家宏 ,  王菘豊 ,  梁顺鑫 ,  张旭凯 ,  时定康 ,  洪宗佑 ,  蔡邦彦 ,  林耕竹

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 根据本发明的半导体器件结构包括：源极部件和漏极部件；至少一个沟道结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹至少一个沟道结构的每个；半导体层，位于栅极结构上方；介电层，位于半导体层上方；掺杂的半导体部件，延伸穿过半导体层和介电层以与源极部件接触；金属接触插塞，位于掺杂的半导体部件上方；以及掩埋电源轨，设置在金属接触插塞上方。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112151541A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010588262.X

申请日：2020-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏品岱 ,  洪宗佑 ,  陈蓉萱 ,  江庭玮

IPC: H01L27/092

Abstract: 半导体装置包含置于基板上的第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管以及导电轨线。第一晶体管包含在第一层上延伸的第一主动区域。第二晶体管包含在第一层上的第二层上延伸的第二主动区域。导电轨线在第三层上延伸。第一层至第三层在第一方向上彼此分开，以及第三层插置于第一与第二层之间。第一主动区域、第二主动区域以及导电轨线在布局图上重叠。

公开(公告)号：CN113130486A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010973182.6

申请日：2020-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪宗佑 ,  苏品岱 ,  田倩绮 ,  江庭玮

IPC: H01L27/092

Abstract: 本发明实施例涉及电源开关电路与其集成电路结构以及集成电路结构形成方法。一种集成电路装置包含：集成电路模块；第一场效应晶体管，其耦合于所述集成电路模块与第一参考电压之间且由第一控制信号控制；及第二场效应晶体管，其耦合于所述集成电路模块与所述第一参考电压之间；其中所述第二场效应晶体管是所述第一场效应晶体管的互补场效应晶体管，且所述第一场效应晶体管及所述第二场效应晶体管经配置以根据所述第一控制信号产生所述集成电路模块的第二参考电压。

公开(公告)号：CN111223781A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911173527.3

申请日：2019-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪宗佑 ,  蔡邦彦 ,  李培玮

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了半导体装置及其制造方法。形成半导体装置的例示性方法包括形成鳍片于基板之上，其中此鳍片包括具有不同半导体材料的第一半导体层及第二半导体层，并且此鳍片包括通道区及源极/漏极区；形成虚设栅极结构于此基板及此鳍片之上；于此源极/漏极区中蚀刻此鳍片的一部分；于此鳍片的此通道区中选择性去除此第二半导体层的边缘部分使得此第二半导体层被凹蚀，并且此第一半导体层的边缘部分被悬置；对此第一半导体层执行回流工艺以形成内部间隔物，其中此内部间隔物形成于此鳍片的此源极/漏极区的侧壁表面；以及外延成长源极/漏极部件于此源极/漏极区中。

公开(公告)号：CN222261067U

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202420200758.9

申请日：2024-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗伊辰 ,  时定康 ,  林立德 ,  蔡邦彥 ,  洪宗佑 ,  林斌彦 ,  白佳灵

IPC: H01L27/092

Abstract: 在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置，包括：位于半导体鳍片之上的源极/漏极区；位于半导体鳍片之上且邻近源极/漏极区的栅极结构，栅极结构包括栅极间隔层，栅极间隔层具有第一粗糙度；位于源极/漏极区之上的多个第介电层；第一接触插塞，电性耦合至源极/漏极区并延伸穿过第一介电层；以及第一氮化物衬件，介于第一接触插塞与第一介电层之间，第一氮化物衬件具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度。