公开(公告)号：CN117486171A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310557122.X

申请日：2023-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毛隆凯 ,  吕文雄 ,  李培玮 ,  李思宪 ,  冯玠宁

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包括晶粒，此晶粒包含在第一基板上的多个装置，其中第一基板包含第一浓度的掺杂剂，并且其中第一基板沿水平方向具有第一宽度。此半导体封装还包括第二基板，此第二基板与第一基板熔合，其中第二基板包含大于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。第二基板沿水平方向具有第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN117116898A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310810060.9

申请日：2023-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱柏宇 ,  李培玮 ,  刘富维 ,  吴允中 ,  杨皓钧 ,  古进誉 ,  郑明达 ,  李明机

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体器件包括衬底、设置在衬底上方的一个或多个布线层、设置在一个或多个布线层上方的钝化层、设置在钝化层上方的第一导电层、设置在第一导电层上方的第二导电层、形成在第一导电层和第二导电层中的隔离结构，以隔离第一导电层和第二导电层的部分，以及设置在隔离结构及第一导电层和第二导电层的该部分上方的第一金属焊盘。在前述或以下实施例中的一个或多个中，半导体器件还包括设置在第二导电层上方并且与第一金属焊盘电隔离的第二金属焊盘。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN113113357A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110156301.3

申请日：2021-02-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李培玮 ,  蔡邦彦 ,  赵皇麟 ,  洪宗佑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置具有超晶格结构及位于具有埋入式隔离结构的基底上。上述方法包括形成一蚀刻停止层于一基底上；形成一超晶格结构于蚀刻停止层上；沉积一隔离层于超晶格结构上；沉积一半导体层于隔离层上；形成一双层隔离结构于半导体层上、去除基底及蚀刻停止层；蚀刻超晶格结构、隔离层、半导体层及双层隔离结构以形成一鳍部结构；以及形成一全绕式栅极结构于鳍部结构上。

公开(公告)号：CN117088329A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310854331.0

申请日：2023-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李培玮 ,  刘富维 ,  李思宪 ,  吴允中 ,  古进誉 ,  郑明达 ,  李明机

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 方法包括在半导体衬底上方形成互连结构。互连结构包括多个介电层，并且互连结构和半导体衬底位于晶圆中。在互连结构上方形成多个金属焊盘。形成穿透晶圆的多个通孔。多个通孔包括穿透互连结构的顶部部分以及位于顶部部分下面并且连接至顶部部分的中间部分。中间部分宽于相应的顶部部分。形成电连接至多个金属焊盘的金属层。金属层延伸至多个通孔的顶部部分中。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113178487A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110089092.5

申请日：2021-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李培玮 ,  奧野泰利 ,  蔡邦彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 根据本公开的一种半导体器件包含基板以及晶体管，基板包含多个原子阶，原子阶沿着第一方向传递，而晶体管设置于基板之上。晶体管包含通道构件及栅极结构，通道构件沿着第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向，而栅极结构环绕通道构件。

公开(公告)号：CN111223781A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911173527.3

申请日：2019-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪宗佑 ,  蔡邦彦 ,  李培玮

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了半导体装置及其制造方法。形成半导体装置的例示性方法包括形成鳍片于基板之上，其中此鳍片包括具有不同半导体材料的第一半导体层及第二半导体层，并且此鳍片包括通道区及源极/漏极区；形成虚设栅极结构于此基板及此鳍片之上；于此源极/漏极区中蚀刻此鳍片的一部分；于此鳍片的此通道区中选择性去除此第二半导体层的边缘部分使得此第二半导体层被凹蚀，并且此第一半导体层的边缘部分被悬置；对此第一半导体层执行回流工艺以形成内部间隔物，其中此内部间隔物形成于此鳍片的此源极/漏极区的侧壁表面；以及外延成长源极/漏极部件于此源极/漏极区中。