公开(公告)号：CN100452431C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510075361.3

申请日：2005-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建豪 ,  蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良 ,  陈世昌

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，可于源极/漏极区域形成应力诱导层，该应力诱导层包括第一半导体材料及第二半导体材料。利用一系列作用于第一半导体材料的反应操作形成应力诱导层并迫使第二半导体材料进入应力诱导层下层。该应力诱导层可以位于源极/漏极间的凹陷区域或非凹陷区域。本发明提供一种方法，利用锗硅化物的氮化或氧化工艺使源极/漏极区域产生应力诱导层，此应力诱导层上层可形成氮化或氧化薄膜，并使锗得以进入应力诱导层下层。本发明提供另一方法，产生反应层覆盖于应力诱导层之上，使该反应层与应力诱导层产生交互作用。

公开(公告)号：CN1988110A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610170121.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林立德 ,  蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体包括具有第一流量的盐酸；使用第三来源气体执行第三低压化学气相沉积工艺，第三来源气体包括具有第二流量的盐酸；其中，第一流量实质低于第二流量。

公开(公告)号：CN1794442A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510123360.1

申请日：2005-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡邦彦 ,  张志坚 ,  杨婷羽 ,  李资良 ,  陈世昌

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离区于基材中，以隔离一主动区与一虚设主动区；移除主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，第一开口暴露出基材；移除虚设主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第二开口，第二开口暴露出基材；以及同时在第一开口与第二开口中的基材上进行一选择性磊晶成长步骤。藉由第二开口的导入，而磊晶成长发生于第二开口中，图案密度更为均匀，因此可降低图案负载效应。

公开(公告)号：CN100499024C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610170121.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林立德 ,  蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：提供含硅基板；清洁此含硅基板；使用第一来源气体执行第一低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积硅籽晶层于基板上；使用第二来源气体执行第二低压化学气相沉积工艺，以选择性沉积第一硅锗层于硅籽晶层上，其中第二来源气体包括具有第一流量的盐酸；使用第三来源气体执行第三低压化学气相沉积工艺，第三来源气体包括具有第二流量的盐酸；其中，第一流量低于第二流量。因此，通过较高的盐酸流量，硅锗残余物可在第三低压化学气相沉积工艺中有效地去除。

公开(公告)号：CN100378906C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510058857.X

申请日：2005-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良 ,  陈世昌

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明是有关于一种具有一平滑的磊晶层的半导体元件及其制造方法。该方法是藉由较高的反应气体压力形成第一层硅锗磊晶(SiGe)层在基材上，再以较低的反应气体压力形成第二层硅锗磊晶(SiGe)层。

公开(公告)号：CN1805151A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510075361.3

申请日：2005-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建豪 ,  蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良 ,  陈世昌

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/45 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明提供一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，可于源极/漏极区域形成应力诱导层，该应力诱导层包括第一半导体材料及第二半导体材料。利用一系列作用于第一半导体材料的反应操作形成应力诱导层并迫使第二半导体材料进入应力诱导层下层。该应力诱导层可以位于源极/漏极间的凹陷区域或非凹陷区域。本发明提供一种方法，利用锗硅化物的氮化或氧化工艺使源极/漏极区域产生应力诱导层，此应力诱导层上层可形成氮化或氧化薄膜，并使锗得以进入应力诱导层下层。本发明提供另一方法，产生反应层覆盖于应力诱导层之上，使该反应层与应力诱导层产生交互作用。

公开(公告)号：CN1763908A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510058857.X

申请日：2005-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡邦彦 ,  张志坚 ,  李资良 ,  陈世昌

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明是有关于一种具有一平滑的磊晶层的半导体元件及其制造方法。该方法是藉由较高的反应气体压力形成第一层硅锗磊晶(SiGe)层在基材上，再以较低的反应气体压力形成第二层硅锗磊晶(SiGe)层。

公开(公告)号：CN101303382A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200710136966.8

申请日：2007-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张志坚 ,  杨耿嘉 ,  黄义盛 ,  辛焕斌

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  G05B19/04 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2834 ,  G01R31/2894

Abstract: 一种半导体电性针测测试管理系统及方法。从客户端电脑接收控制请求信息，驱动探针驱动装置中的针测单元或晶圆进行校准，将针测单元的探针接触晶圆的特定区域，接着执行电性针测测试。发出至少一个相应于控制请求信息的控制指令来驱动探针驱动装置，进行针测单元或晶圆的校准，将针测单元的探针接触上述晶圆的特定区域，以及接着执行电性针测测试。应用本发明能够直接取得电性针测测试数据和操作电性针测装置，从而提高测试效率。

公开(公告)号：CN100405578C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200510123360.1

申请日：2005-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡邦彦 ,  张志坚 ,  杨婷羽 ,  李资良 ,  陈世昌

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离结构位于该基材中的一隔离区中，以隔离一主动区与一虚设主动区，其中该虚设主动区中形成至少一无插塞主动元件；移除主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，第一开口暴露出基材；移除虚设主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第二开口，第二开口暴露出基材；以及同时在第一开口与第二开口中的基材上进行一选择性磊晶成长步骤。藉由第二开口的导入，而磊晶成长发生于第二开口中，图案密度更为均匀，因此可降低图案负载效应。