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公开(公告)号：CN115497922A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210132799.4
申请日：2022-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/522
Abstract: 本公开的各种实施例针对集成芯片(IC)。集成芯片包括衬底。电阻器上覆在衬底上。电阻器包括上覆在衬底上的电阻结构。电阻器还包括上覆并电耦合到电阻结构的导电接点。顶盖结构设置在导电接点上方，其中顶盖结构在导电接点的上表面上方横向延伸并沿导电接点的第一侧壁垂直延伸，使得顶盖结构的下表面设置在导电接点的下表面下方。
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公开(公告)号：CN113451339A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110037315.3
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种图像传感器结构。所述图像传感器结构包括衬底。衬底包括第一侧及与第一侧相对的第二侧。光电探测器延伸到衬底的第一侧中。隔离结构包括延伸穿过衬底的第一隔离段及第二隔离段。第一隔离段与第二隔离段分别位于光电探测器的相对的侧上且包含介电质。第一金属线位于衬底的第一侧上。虚设接触结构包括第一虚设段及第二虚设段。第一虚设段及第二虚设段二者均包含金属且从第一金属线分别延伸到第一隔离段及第二隔离段。
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公开(公告)号：CN112310128A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911074862.8
申请日：2019-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括电荷释放层的图像传感器。光探测器设置在半导体衬底内。刻蚀停止层上覆在光探测器上。滤色片上覆在刻蚀停止层上。介电栅格结构环绕滤色片。电荷释放层夹置在介电栅格结构与刻蚀停止层之间。电荷释放层环绕滤色片且包含导电材料。电荷释放层直接接触滤色片。
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公开(公告)号：CN110828367A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910382802.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本申请的各种实施例涉及一种用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底而没有注入辐射和/或等离子体损坏的方法。在一些实施例中，在牺牲衬底上外延形成器件层，并在器件层上形成绝缘层。例如，绝缘层可形成为带负电荷或中性电荷的净电荷。牺牲衬底与操作衬底接合，从而器件层和绝缘层位于牺牲衬底和操作衬底之间。去除牺牲衬底，并循环减薄器件层，直到器件层具有目标厚度。每个减薄循环均包括氧化器件层的一部分并去除由氧化产生的氧化物。本发明的实施例还涉及用于形成薄绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。
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公开(公告)号：CN109427834A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810926989.7
申请日：2018-08-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及改善快门效率的图像传感器装置及其制造方法。本揭露涉及一种半导体装置，其包含半导体衬底及所述半导体衬底上方的栅极结构。所述半导体衬底包含邻近所述栅极结构的光敏区，且所述栅极结构经配置以存储从所述光敏区产生的电荷。所述半导体装置还包含在所述半导体衬底上方的导电结构。所述导电结构外接所述栅极结构的侧壁且与所述栅极结构的所述侧壁隔开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411491A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810940085.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例关于具有沿着基板的第一表面的层间介电结构的集成芯片，且基板具有光检测器。蚀刻停止层位于层间介电结构上，而蚀刻停止层与层间介电结构围绕反射器。反射器具有的弧形表面面对基板并直接位于光检测器上。弧形表面耦接于反射器的第一侧壁与第二侧壁之间。反射器沿着第一侧壁与第二侧壁的厚度，大于反射器的中心厚度，且反射器的中心位于第一侧壁与第二侧壁之间。
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公开(公告)号：CN109407189A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710710260.1
申请日：2017-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本揭露有关于一种紫外光复合光栅及等离子装置。此紫外光复合光栅包含第一格栅及第二格栅。第一格栅设有多个第一穿孔，及第二格栅设有多个第二穿孔，且第一穿孔及第二穿孔是交错设置。第一格栅是由不透光材料所制成，且第二格栅是由滤光材料所制成。紫外光复合光栅可滤除波长小于180nm的紫外光。
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公开(公告)号：CN106960813A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611121073.1
申请日：2016-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0332 , H01L21/32 , H01L21/76224 , H01L21/76807 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L21/76805 , H01L21/76897
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底，包括层间电介质(ILD)和设置在该ILD上方的硅层，其中ILD包括设置在其中的导电结构；设置在硅层上方的介电层；以及导电插塞，该导电插塞与导电结构电连接并且从介电层延伸穿过硅层至ILD，其中，导电插塞具有从介电层延伸至ILD的长度和沿该长度基本上一致的宽度。本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103681704B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310053026.8
申请日：2013-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76838 , H01L27/14623 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了BSI芯片中的多金属膜堆叠件，其中形成方法包括：形成从半导体衬底的背面延伸到半导体衬底正面上的金属焊盘的开口；以及形成第一导电层，其包括与半导体衬底中的有源图像传感器重叠的第一部分、与半导体衬底中的黑色参考图像传感器重叠的第二部分以及位于开口中以接触金属焊盘的第三部分。第二导电层形成在第一导电层上方并与其接触。执行第一图案化步骤以去除第二导电层的第一和第二部分，其中第一导电层被用作蚀刻停止层。执行第二图案化步骤以去除第一导电层的第一部分的一部分。在第二图案化步骤之后保留第一导电层的第二和第三部分。
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公开(公告)号：CN106057784A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510769800.4
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/10 , H01F17/0033 , H01F41/046 , H01L23/49822 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L27/0288 , H01L2924/0002 , H01L2924/1206 , H01L2924/19042
Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括在位于衬底上方的第一介电层中形成下线圈片段，在下线圈片段和第一介电层上方形成第二介电层，各向异性蚀刻第二介电层的顶部以在下线圈片段上方形成开口，在开口中沉积磁性材料以形成磁芯，在磁芯和第二介电层上方形成第三介电层，形成延伸穿过第二介电层和第三介电层的通孔，以及在形成通孔之后，在第三介电层和磁芯上方形成上线圈片段，其中，通孔将上线圈片段和下线圈片段连接。本发明实施例涉及集成磁芯感应器及其制造方法。
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