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公开(公告)号：CN118641036A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410825950.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种集成偏振光谱滤波器及其测试方法，包括：滤波器阵列芯片与封装外壳；其中，滤波器阵列芯片包含：可调谐法布里‑珀罗滤光阵列结构与微偏振片阵列结构；法布里‑珀罗滤光阵列结构由M×N个独立的滤波器组成；每个光滤波器由两个平行的镜面构成法布里‑珀罗腔，其中一个镜面为固定镜，另一个镜面为可动镜；在相邻的4个滤波器的可动镜上分别设有4个0°、45°、90°以及135°不同方向的微偏振像素单元，将4个不同方向的微偏振像素单元按预设规律排列；4个不同方向的微偏振像素单元构成一个超像素单元结构。采用本发明的技术方案，以解决以往滤波器不能同时具备目标光谱信息探测能力及偏振信息探测能力的问题。
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公开(公告)号：CN117185245A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311105898.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微加热器芯片，其特征在于：它包括在硅片上设有悬空区域，在悬空区域上从下向上依次设有金属加热电极、绝缘层和检测电极，在悬空区域下方的硅片上设有槽体，在悬空区域外侧设有均布若该组间隔分布的通孔，在通孔下端与槽体连通，在通孔外侧的绝缘层上还设有第一焊盘，在另一侧的绝缘层上还设有开孔，在开孔内设有第二焊盘。本发明公开的悬梁式支撑结构刚度大，热量损耗小，可靠性高，与现有成熟MEMS工艺相兼容，适合批量化制造。
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公开(公告)号：CN112265954B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN116015231A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211516205.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种压力传感器调制电路，包括：前置滤波器将差分信号经过滤波输出给增益放大器，经过放大后输出给模数转换器，将数字信号输出给信号处理；信号处理器经过数据处理后输出给数模转换，同时也与HART收发器进行数字信号的输入和输出；数模转换器数字信号转换为模拟电压信号输出给4‑20mA恒流发生器，它将数模转换后的模拟电压信号，经过V/I电路，产生4‑20mA恒流与HART收发器产生的HART总线发送信号并联并输出。本发明的优点是：运放电路的器件耐压高，推挽功率放大电路，采用互补推挽电路结构，防止输出信号形变，用于解决现有压力传感器调制电路只能配套芯体，兼容性差，受振动时输出信号不稳定的缺点。
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公开(公告)号：CN114242882A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111479933.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114132891A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
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公开(公告)号：CN112271143A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011024268.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种硅片膜层腐蚀剩余厚度的监控方法，包括：在硅片的边缘部分预定义监控图形区域；在监控图形区域内对硅片的正面光刻、刻蚀深度为D1的第一观察槽以及深度为D2的第二观察槽，D1为硅片膜层腐蚀剩余厚度的上限值，D2为硅片膜层腐蚀剩余厚度的下限值；在监控图形区域内在硅片的正面与背面分别生长厚度为D3的二氧化硅层；S4、在监控图形区域内对硅片的背面光刻、刻蚀二氧化硅层形成深度为D3的第三观察槽；从硅片的背面进行各向异性腐蚀，第三观察槽跟随硅片一同被腐蚀；通过光学显微镜由第三观察槽作为观察窗口，观察第一观察槽与第二观察槽的图形可视化情况，判断硅片膜层腐蚀剩余厚度是否满足目标要求。
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公开(公告)号：CN110568220A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793469.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种抗干扰耐过载MEMS加速度计，包括依次键合的衬底层、感应电极层、可动敏感结构层与盖帽，感应电极层包含感应电极中心锚点与两侧的感应电极，可动敏感结构层包含第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构；感应电极底部设有硅支撑柱，硅支撑柱顶端与感应电极相连、底端与衬底层相连；第一可动敏感结构中心锚点、第一实心可动敏感结构与第一空心可动敏感结构上方分别对称键合有第二可动敏感结构中心锚点、第二实心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构，第一空心可动敏感结构与第二空心可动敏感结构之间形成闭合的空腔；本加速度计能够降低外界环境对器件性能影响，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN104355286B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN102862947B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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