公开(公告)号：CN113937021A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110751970.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中山博之

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种可提高基片的温度调节的响应性的检查装置。本发明的检查装置包括：能够载置基片的载置台；冷却部，其对载置在所述载置台上的所述基片进行冷却；探针卡，其具有与所述基片接触来进行供电的探针；光照射机构，其对所述基片的与载置面相反的面照射光；和控制所述光照射机构的控制部。

公开(公告)号：CN113917307A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110726775.7

申请日：2021-06-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  中山博之 ,  赤池由多加 ,  小宫弘晃 ,  加藤仪保

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明提供一种载置台的温度调节方法和检查装置。所述载置台的基片载置面被划分为多个区域，对多个区域分别设置有加热器，温度调节方法包括：对多个区域中的与检查对象器件对应的主区域的加热器进行反馈控制，以使该主区域的温度成为设定温度的步骤；和控制基片载置面上的多个区域中与主区域相邻的副区域的加热器的步骤，在控制副区域的加热器的步骤中，在主区域的温度没有发生过冲的情况下，控制副区域的加热器以使主区域与副区域的温度差成为规定值，在主区域的温度发生过冲的情况下，控制副区域的加热器以使设定温度与副区域的温度之差成为规定值。根据本发明，能够不使载置台发生翘曲地提高载置台所实现的来自检查对象器件的吸热性能。

公开(公告)号：CN112864074A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011306861.4

申请日：2020-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林大 ,  中山博之 ,  赤池由多加

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供能够降低载置被检查体的载置台和被检查体之间的接触热阻的载置台和检查装置。提供如下载置台：该载置台载置具有电子器件的被检查体，以对该电子器件施加载荷的方式按压检查装置的探针卡的接触端子，其中，该载置台包括：第1冷却板，其形成有第1制冷剂流路；加热源，其搭载于所述第1冷却板，用于加热所述被检查体；透过构件，其设于所述加热源之上，使所述加热源所输出的光透过；以及第2冷却板，其设于所述透过构件之上，具有真空吸附所述被检查体的载置面和第2制冷剂流路，该第2冷却板由陶瓷构成，对所述载置面实施镜面研磨加工。

公开(公告)号：CN101552186B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200910129588.X

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  中山博之 ,  佐藤学

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其能够使用电容耦合型的等离子体蚀刻装置任意且精密地控制蚀刻形状。在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，向基座(12)分别施加来自第一和第二高频电源(30、32)的等离子体生成用的第一高频、离子引入用的第一高频。从可变直流电源(74)输出的可变的直流电压VDC通过导通/断开切换开关(76)和滤波器(82)施加在上部电极(60)上。在控制部(80)中使用的软件中编入有用于根据蚀刻工艺的种类、内容、条件而对直流电压VDC时时刻刻地连续地进行可变控制的程序。

公开(公告)号：CN101546700A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910129460.3

申请日：2009-03-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中山博之 ,  本田昌伸 ,  增泽健二 ,  岩田学

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541

Abstract: 本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片(W)实施RIE处理的基板处理装置(10)所具备的处理室(11)内且在该处理室(11)内与载置在基座(12)上的晶片(W)相对的上部电极(31)包括：与载置在基座(12)上的晶片(W)的中心部相对的内侧电极(34)和与该晶片(W)周缘部相对的外侧电极(35)，内侧电极(34)连接第一直流电源(37)，外侧电极连接第二直流电源(38)，外侧电极具有与载置在基座(12)上的晶片(W)平行的第1二次电子发射面(35a)和相对该第1二次电子发射面(35a)向着晶片(W)倾斜的第2二次电子发射面(35b)。

公开(公告)号：CN100494471C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200510117628.0

申请日：2005-11-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史 ,  小林启悟 ,  安田要

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  G06F19/00

CPC classification number: C23C16/4404

Abstract: 本发明提供能够确实地抑制水分的附着和脱离的陶瓷喷镀部件的制造方法、用于执行该方法的程序、存储介质、以及陶瓷喷镀部件。将具有基质材料(210)和由喷镀形成在基质材料(210)表面的喷镀膜(220)的陶瓷喷镀部件(200)，在含有丙酮、乙醇、以及异丙醇中的至少1种的有机溶剂中浸渍规定时间，去除吸附在喷镀膜(220)上的有机物，并在压力为202.65kPa以上、相对湿度为90%以上的环境下，通过在温度为100～300℃左右的炉中加热1～24小时，对喷镀膜(220)的外表面进行水合处理。

公开(公告)号：CN100369213C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200510059395.3

申请日：2005-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  C23C16/50 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/022

Abstract: 本发明提供可以抑制颗粒附着而防止晶片污染的等离子体处理装置以及方法。等离子体处理装置具备对晶片进行等离子体处理的处理室(100)。处理室(100)具备腔室侧壁(110)、上部电极(111)、为了用静电将晶片吸附在ESC台(120)而被埋设的吸附晶片用的ESC电极(120a)、配置在晶片的外周上的聚焦环(121)以及ESC台(120)。在ESC台(120)上，为了用静电将聚焦环(121)吸附在ESC台(120)而埋设吸附FR用的ESC电极(122a)。等离子体处理装置在进行等离子体处理中向ESC电极(120a、122a)供给不同电位的电力。

公开(公告)号：CN100367446C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN03822080.6

申请日：2003-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西本伸也 ,  三桥康至 ,  三枝秀仁 ,  高濑均 ,  中山博之

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32972

Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。

公开(公告)号：CN1790616A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510118834.3

申请日：2005-10-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 工藤智之 ,  小泽润 ,  中村博 ,  风间和典 ,  守屋刚 ,  中山博之 ,  长池宏史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  G05B19/04 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。

公开(公告)号：CN1736830A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510067932.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: B65G49/05 ,  B65G49/07 ,  H01L21/00 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种在不降低基板处理系统实际作业率的情况下能充分清除堆积粒子的基板输送装置。基板输送装置(10)由箱状的腔室(11)及腔室(11)内配有的输送臂(12)、负责该腔室(11)内排气的排气管线(15)、使N2气体进入腔室(11)内的气体导入管线(18)等构成。利用输送臂(12)使施加高电压的带有电极层(25)的拾取器(24)移动到腔室(11)内所希望的位置。气体导入管线(18)将N2气体导入腔室(11)内，且由排气管线(15)使腔室(11)排气，使腔室(11)内产生粘性流，再对移至希望位置的拾取器(24)的电极层(25)加高电压，从而使腔室(11)内面和拾取器(24)之间产生静电场，这样，静电应力就会作用于粒子堆积的腔室(11)内面。