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公开(公告)号：CN110998858A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880052644.1
申请日：2018-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/66 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：提供起始结构，该起始结构包括基板，在该基板上具有多个栅极区域，所述多个栅极区域与多个源极/漏极(S/D)区域交替地布置，其中，栅极区域中的每一个包括纳米沟道结构，该纳米沟道结构具有由替代栅极包围的中间部分以及由相应的栅极间隔件包围的相对端部，使得纳米沟道结构延伸通过栅极区域的替代栅极和栅极间隔件。S/D区域中的每一个包括延伸通过S/D区域的S/D结构，以连接分别设置在S/D区域的相对侧上的第一相邻栅极区域和第二相邻栅极区域的纳米沟道结构。将第一相邻栅极区域转换成包括虚设栅极结构的单扩散隔断；以及将第二相邻栅极区域转换成包括有源栅极结构的栅极区域，该有源栅极结构被配置成在第二相邻栅极区域的纳米沟道结构内产生电流沟道。
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公开(公告)号：CN108854556A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810470203.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了一种润湿用于处理半导体制造中使用的液体溶剂的筒式过滤器的方法。在该方法中，将具有空隙空间的筒式过滤器连接至吹扫气体源，其中空隙空间包含来自用于制造筒式过滤器的制造工艺的残留气体。使吹扫气体流过筒式过滤器以至少部分地置换来自用于制造筒式过滤器的制造工艺的残留气体的至少一部分。接着，将液体溶剂泵送通过筒式过滤器，使得吹扫气体溶解到液体溶剂中并且至少部分地填充空隙空间，从而用液体溶剂至少部分地润湿筒式过滤器。
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公开(公告)号：CN105531811B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201480050820.X
申请日：2014-08-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 利奥尔·胡利 , 杰弗里·T·史密斯 , 卡洛斯·A·丰塞卡 , 安东·德维利耶 , 本雅门·M·拉特扎克
IPC: H01L21/683
Abstract: 描述的实施方案涉及用于减小光刻变形的方法和设备。可以将半导体衬底的背面纹理化。接着可以对具有经纹理化的背面的半导体衬底进行光刻工艺。为了改善变形均匀性，并且可能地，提高套刻性能，可以将接触卡盘销的半导体衬底的背面表面纹理化，以产生由于在卡盘上的晶片滑动而导致的更均匀的晶片变形。将半导体衬底的背面纹理化，以产生较小的摩擦系数，这提高了在扫描仪夹持期间整个半导体衬底背面的滑动均匀性。
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公开(公告)号：CN107799451A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710791991.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体加工中控制曲度以控制叠对的位置特定的应力调节。本公开的技术包括通过校正或调整晶片的弯曲来校正图案叠对误差的系统和方法。特定于位置的对半导体衬底上的应力的调整减小了叠对误差。特定于位置的应力调整独立地修改衬底上的特定区、区域或点位置以改变在那些特定位置处的晶片曲度，这降低了衬底上的叠对误差，转而改进了在衬底上创建的后续图案的叠对。本公开的技术包括：接收具有一定量的叠对误差的衬底；测量衬底的曲度以映射跨衬底的z高度偏差；生成叠对校正图案；以及通过独立于其他坐标位置的修改在特定位置处物理地修改衬底上的内应力。这样的修改可以包括蚀刻衬底的背面表面。一个或多个加工模块可用于这种加工。
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公开(公告)号：CN106415782A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580005571.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 安东·德维利耶 , 罗纳德·纳斯曼 , 詹姆斯·格罗特格德 , 小诺曼·A·雅各布森
Abstract: 公开了一种流体分配装置。系统包括直列式或直线形囊状部装置，该囊状部装置构造成扩张以收集一定量的流体并且收缩以有助于流体输送及分配。在分配关闭期间，在过程流体被推动通过精细过滤器(微过滤器)之后，过程流体可以收集在该囊状部中。给定的过滤速率可以比分配速率小，并且因而本文中的系统对通常与微型品制造的流体过滤相伴随的过滤器滞后进行补偿，同时提供能够减小缺陷形成的机会的大致直线形构型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113767338B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080032161.2
申请日：2020-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/67 , G03F7/16 , B01F25/421
Abstract: 描述了一种用于在给定的分配期间以极高的均匀性和可重复性按动态变化或静态的比率混合液体化学品的方法和系统。混合器包括多个流体供应管线，该多个流体供应管线包括细长囊，这些细长囊限定线性流动路径且被配置为横向地扩展以收集过程流体并且横向地收缩以将选定体积的过程流体输送到该混合器。
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公开(公告)号：CN113016062B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201980074265.7
申请日：2019-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 约迪·格热希科维亚克 , 安东·德维利耶 , 丹尼尔·富尔福德
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本文的技术包括在包括半导体晶圆的衬底上形成适形膜的方法。常规的成膜技术可能是缓慢且昂贵的。本文的方法包括在该衬底上沉积自组装单层(SAM)膜。该SAM膜可以包括被配置为响应于预定刺激而产生酸的酸产生剂。在该SAM膜上沉积聚合物膜。该聚合物膜可溶于预定显影剂并且被配置为响应于暴露于该酸而改变溶解度。该酸产生剂被刺激并产生酸。将该酸扩散到该聚合物膜中。用该预定显影剂对该聚合物膜进行显影，以去除该聚合物膜的未被保护免于该预定显影剂的部分。可以将这些方法步骤重复希望的次数，以逐层生长聚集膜。
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公开(公告)号：CN110807273B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910711753.6
申请日：2019-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G06F30/23 , G06T5/80 , H01L21/66 , G06F113/18 , G06F119/14
Abstract: 本文公开了一种基于半导体晶片的局部畸变的确定的全局晶片畸变的改善。在本文中，畸变为平面外畸变(OPD)或平面内畸变(IPD)。对于这种畸变的参考平面基于假定平坦的半导体晶片的表面共享的平面。提交本摘要时应理解，其将不用于解释或限定权利要求的范围或含义。
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公开(公告)号：CN117795647A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280053016.1
申请日：2022-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , G03F7/38 , G03F7/20
Abstract: 一种形成亚分辨率特征的方法，该方法包括：通过掩模将形成在衬底上方的光致抗蚀剂层暴露于具有365nm或更长的第一波长的第一紫外光(UV)辐射，该掩模被配置成以第一临界尺寸形成特征，该光致抗蚀剂层包括暴露于该第一UV辐射的第一部分和在用该第一UV辐射暴露之后未暴露于该第一UV辐射的第二部分；将该第一部分和该第二部分暴露于第二UV辐射；以及在将光致抗蚀剂层暴露于该第二UV辐射之后使该光致抗蚀剂层显影以形成具有小于该第一临界尺寸的第二临界尺寸的亚分辨率特征。
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公开(公告)号：CN111919283B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201980019971.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/56 , H01L21/67 , G03F7/00
Abstract: 本文中的技术包括处理和系统，通过所述处理和系统可以减轻或校正可再现的CD变化图案，以经由分辨率增强从微加工的图案化工艺中产生期望的CD。识别跨一组晶片的CD变化的可重复部分，然后生成校正曝光图案。直写式投射系统使这种校正图案作为分量曝光、增强曝光或部分曝光而曝光在基板上。常规的基于掩模的光刻系统执行作为第二分量曝光或主要分量曝光的初级图案化曝光。两个分量曝光在组合时增强图案化曝光的分辨率以在无需对每个晶片进行测量的情况下改善正在被处理的基板上的CD。(56)对比文件US 2009176174 A1,2009.07.09CN 107660277 A,2018.02.02US 2016147164 A1,2016.05.26US 2017010531 A1,2017.01.12
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