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公开(公告)号：CN112638547A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056372.7
申请日：2019-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了用于加工衬底的方法。该方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括在该前侧表面的第一环形区域中形成第一材料，从而使该第一环形涂覆有该第一材料。第一环形区域紧邻衬底的周边。该第一环形区域具有靠近该衬底的周边的第一外周边和远离该衬底的周边的第一内周边。该方法还包括在该前侧表面的内部区域中形成第二材料，该第二材料在不粘附至环形区域的情况下涂覆该前侧表面。
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公开(公告)号：CN114127895A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080042922.2
申请日：2020-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 在某些实施例中，一种用于处理衬底的方法包括：将表面处理施加到衬底的选定表面。衬底具有不平坦形貌，该不平坦形貌包括限定凹部的结构。该方法进一步包括：通过旋涂沉积将填充材料沉积在衬底上。表面处理将填充材料引导到凹部和引导远离选定表面，以用填充材料来填充凹部而不附着到选定表面。该方法进一步包括：从衬底的选定表面移除表面处理并通过旋涂沉积将平坦化膜沉积在衬底上。平坦化膜沉积在顶表面以及填充材料的顶表面上。
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公开(公告)号：CN112997292B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980074237.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 提供了用于对衬底进行加工的方法。某些膜(包括含金属的膜)当被沉积到半导体晶圆上时可能会造成缺陷和污染。本文的方法通过选择性地阻挡金属颗粒和含金属的材料的粘附来限制金属污染。方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面，并通过光化辐射曝光感兴趣区域。光化辐射引起该中心区内该自组装单层内的去保护反应。该方法还包括从该感兴趣区域去除该自组装单层，而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层，从而阻挡金属颗粒和膜的粘附。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111542919B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201980007134.7
申请日：2019-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/033
Abstract: 本文中的技术包括形成蚀刻掩模以形成接触孔和其他特征的方法。与传统的直接印刷光刻方法相比，本文中的技术使用反转方法来创建具有改善的临界尺寸均匀性和接触边缘粗糙度的接触孔图案。柱被印刷为最初的结构。最初的结构被重新成形以改变平滑度、均匀性和/或尺寸。共形膜沉积在柱上。共形膜可以包括含金属的材料。执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱向下去除至基板的工作表面，从而留下基板的工作表面上的共形膜。然后，该共形膜可以被用作用于其他图案转印的蚀刻掩模。
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公开(公告)号：CN112997292A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980074237.5
申请日：2019-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 提供了用于对衬底进行加工的方法。某些膜(包括含金属的膜)当被沉积到半导体晶圆上时可能会造成缺陷和污染。本文的方法通过选择性地阻挡金属颗粒和含金属的材料的粘附来限制金属污染。方法包括接收衬底。衬底具有前侧表面、背侧表面和侧边缘表面。该方法还包括用自组装单层涂覆该前侧表面、该背侧表面和该侧边缘表面，并通过光化辐射曝光感兴趣区域。光化辐射引起该中心区内该自组装单层内的去保护反应。该方法还包括从该感兴趣区域去除该自组装单层，而在该衬底的剩余表面上保留该自组装单层，从而阻挡金属颗粒和膜的粘附。
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公开(公告)号：CN108854556B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201810470203.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了一种润湿用于处理半导体制造中使用的液体溶剂的筒式过滤器的方法。在该方法中，将具有空隙空间的筒式过滤器连接至吹扫气体源，其中空隙空间包含来自用于制造筒式过滤器的制造工艺的残留气体。使吹扫气体流过筒式过滤器以至少部分地置换来自用于制造筒式过滤器的制造工艺的残留气体的至少一部分。接着，将液体溶剂泵送通过筒式过滤器，使得吹扫气体溶解到液体溶剂中并且至少部分地填充空隙空间，从而用液体溶剂至少部分地润湿筒式过滤器。
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公开(公告)号：CN111542919A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201980007134.7
申请日：2019-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/033
Abstract: 本文中的技术包括形成蚀刻掩模以形成接触孔和其他特征的方法。与传统的直接印刷光刻方法相比，本文中的技术使用反转方法来创建具有改善的临界尺寸均匀性和接触边缘粗糙度的接触孔图案。柱被印刷为最初的结构。最初的结构被重新成形以改变平滑度、均匀性和/或尺寸。共形膜沉积在柱上。共形膜可以包括含金属的材料。执行如下平坦化处理，所述平坦化处理将柱向下去除至基板的工作表面，从而留下基板的工作表面上的共形膜。然后，该共形膜可以被用作用于其他图案转印的蚀刻掩模。
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公开(公告)号：CN108854556A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810470203.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 公开了一种润湿用于处理半导体制造中使用的液体溶剂的筒式过滤器的方法。在该方法中，将具有空隙空间的筒式过滤器连接至吹扫气体源，其中空隙空间包含来自用于制造筒式过滤器的制造工艺的残留气体。使吹扫气体流过筒式过滤器以至少部分地置换来自用于制造筒式过滤器的制造工艺的残留气体的至少一部分。接着，将液体溶剂泵送通过筒式过滤器，使得吹扫气体溶解到液体溶剂中并且至少部分地填充空隙空间，从而用液体溶剂至少部分地润湿筒式过滤器。
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