半导体器件的平坦化
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114127895A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202080042922.2

    申请日:2020-06-09

    Abstract: 在某些实施例中,一种用于处理衬底的方法包括:将表面处理施加到衬底的选定表面。衬底具有不平坦形貌,该不平坦形貌包括限定凹部的结构。该方法进一步包括:通过旋涂沉积将填充材料沉积在衬底上。表面处理将填充材料引导到凹部和引导远离选定表面,以用填充材料来填充凹部而不附着到选定表面。该方法进一步包括:从衬底的选定表面移除表面处理并通过旋涂沉积将平坦化膜沉积在衬底上。平坦化膜沉积在顶表面以及填充材料的顶表面上。

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