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公开(公告)号：CN117795647A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280053016.1
申请日：2022-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , G03F7/38 , G03F7/20
Abstract: 一种形成亚分辨率特征的方法，该方法包括：通过掩模将形成在衬底上方的光致抗蚀剂层暴露于具有365nm或更长的第一波长的第一紫外光(UV)辐射，该掩模被配置成以第一临界尺寸形成特征，该光致抗蚀剂层包括暴露于该第一UV辐射的第一部分和在用该第一UV辐射暴露之后未暴露于该第一UV辐射的第二部分；将该第一部分和该第二部分暴露于第二UV辐射；以及在将光致抗蚀剂层暴露于该第二UV辐射之后使该光致抗蚀剂层显影以形成具有小于该第一临界尺寸的第二临界尺寸的亚分辨率特征。
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