公开(公告)号：CN101814431B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010115677.1

申请日：2010-02-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古泽纯和 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种成膜含锗膜的装置的使用方法，该使用方法按照以下顺序进行以下处理：第一成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成含锗的第一成品膜；第一清洁处理，对成膜副产物进行蚀刻；第二清洁处理，去除残留在反应容器内的锗；以及第二成膜处理，利用CVD在容纳于反应容器内的成品用被处理体上形成不含锗的第二成品膜。其中，在第二清洁处理中，一边从未容纳成品用被处理体的反应容器内排气，一边向反应容器内供给包含氧化气体和氢气的第二清洁气体的同时对反应容器内加热来活化第二清洁气体。

公开(公告)号：CN101532126B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200910127042.0

申请日：2009-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  户根川大和

IPC: C23C16/22 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置及其使用方法。半导体处理用的成膜装置的使用方法，为了减少金属污染，包括：使用清洗气体对处理容器内的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面进行清洗处理的工序；接着，通过交替供给硅源气体和氮化气体而进行硅氮化膜的覆盖处理，利用硅氮化膜覆盖处理容器的内壁和不保持产品用被处理体的保持部件的表面的工序。

公开(公告)号：CN1908228B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610108370.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  小川淳 ,  金採虎 ,  福岛讲平 ,  高桥俊树 ,  佐藤润

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 这本发明提供一种成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体；含有选自氮化气体、氧氮化气体和氧化气体中的气体的第二处理气体；和吹扫气体的处理区域内，利用CVD，在被处理基板上形成含有硅的绝缘膜，其交互地具有第一～第四工序。在第一、第二、第三和第四工序中，分别供给第一处理气体、吹扫气体、第二处理气体以及吹扫气体，停止剩下的两种气体的供给。在第一工序至第四工序，通过配置开度调整用阀的排气通路继续给处理区域内真空排气。将第一工序的阀开度设定为第二和第四工序的阀开度的5～95％。

公开(公告)号：CN102168255A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110034604.4

申请日：2011-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  东条行雄

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种形成包含非晶碳膜的层叠构造的方法。该方法在基底层上形成包含非晶碳膜的层叠构造，其中，包括以下工序：向上述基底层上供给有机系硅气体，在上述基底层的表面形成包含Si-C键的初始层；向在表面形成有上述初始层的上述基底层上供给包含碳氢化合物气体的成膜气体，在上述基底层上利用热成膜形成上述非晶碳膜。

公开(公告)号：CN101158032B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200710192998.X

申请日：2007-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  水永觉 ,  户根川大和 ,  西村俊治

IPC: C23C16/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  B08B5/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明涉及一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，包括利用第一清洁气体从所述成膜装置的反应室的内面去除副生成物膜的第一清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第一清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第一清洁气体活化的第一温度和第一压力；和利用第二清洁气体从所述反应室的所述内面去除污染物质的第二清洁处理，在此，向所述反应室内供给所述第二清洁气体，并且将所述反应室内设定为使所述第二清洁气体活化的第二温度和第二压力，所述第二清洁气体包括含氯气体。

公开(公告)号：CN100533656C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200610146816.0

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  西村俊治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明提供半导体处理用的成膜装置的使用方法，包含通过清洗气体除去在所述成膜装置的反应室内面附着的副产物膜的工序，和通过平坦化气体对所述反应室的所述内面进行化学平坦化的工序。所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅的材料为主要成分。除去工序，在将所述清洗气体供给至所述反应室内的同时，将所述反应室内设定为所述清洗气体活化的第一温度和第一压力。平坦化的工序，在将所述平坦化气体供给至所述反应室内的同时，将反应室内设定为所述平坦化气体活化的第二温度和第二压力。所述平坦化气体包含氟气和氢气。

公开(公告)号：CN101355022A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810144211.7

申请日：2008-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  久保万身

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/314 ,  C23C16/54 ,  C23C16/52 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/26 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法在垂直方向以一定间隔将多个被处理体收纳在成膜装置的处理容器内。接着，将处理容器内设定为第一减压状态，并向处理容器内供给包含碳化氢气体的第一成膜气体，通过CVD在被处理体上形成碳膜。接着，在将处理容器内从上述第一减压状态开始维持为减压状态的条件下，将上述处理容器内设定为第二减压状态，并向处理容器内供给包含有机类硅源气体的第二成膜气体，通过CVD在碳膜上形成Si类无机膜。

公开(公告)号：CN1881544A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510087160.5

申请日：2005-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种氮化硅膜的形成方法，首先在反应容器的处理区域内通过CVD在被处理基板上堆积氮化硅膜。这里，在第一时间内，向处理区域内供给含有硅烷类气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体，同时，将处理区域设定为第一温度及第一压力。然后，在处理区域内氮化氮化硅膜的表面。这里，在比第一时间短的第二时间内，向处理区域内不供给所述第一处理气体，而是供给含有氮化气体的表面处理气体，同时，将处理区域设定为第二温度及第二压力。

公开(公告)号：CN111560601A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010081889.6

申请日：2020-02-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  藤井康

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供提高含金属膜的连续性的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具备如下工序：准备基板的工序；将载置所述基板的载物台的温度加热到第1温度，向所述基板供给第1原料气体而在所述基板的表面形成晶种层的工序；以及将载置所述基板的载物台的温度加热到第2温度，向形成了所述晶种层的所述基板供给第2原料气体和第1还原气体而使含金属膜成膜的工序。

公开(公告)号：CN104716020B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201410764284.1

申请日：2014-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥和也 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  米仓大雅

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67 ,  C30B1/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化。