公开(公告)号：CN115985914A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211252308.6

申请日：2022-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵信喆 ,  千健龙 ,  高明东 ,  朴容喜 ,  李尚炫 ,  金洞院 ,  申宇胜 ,  李炯锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括具有下图案和与下图案间隔开的片图案的有源图案、在下图案上并具有围绕每个片图案的栅电极和栅极绝缘膜的栅极结构、在栅极结构上的栅极覆盖图案、在栅极覆盖图案和栅极结构之间的栅极蚀刻停止图案、沿着栅极覆盖图案的侧壁的栅极间隔件、在栅极结构上的源极/漏极图案、穿过栅极覆盖图案并连接到栅电极的栅极接触件以及在源极/漏极图案上并连接到源极/漏极图案的源极/漏极接触件，栅极接触件的上表面和栅极间隔件的上表面共面。

公开(公告)号：CN115881818A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211196057.4

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  姜明吉 ,  金大元 ,  金洞院 ,  申在训 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括：衬底，包括第一区域和第二区域；在第一区域上的第一有源图案和在第二区域上的第二有源图案；在第一有源图案上的第一栅电极和在第二有源图案上的第二栅电极；以及穿透第一栅电极的第一切割图案和穿透第二栅电极的第二切割图案，其中第一栅电极在一个方向上测量的宽度小于第二栅电极的宽度，第一切割图案的最大宽度大于第一栅电极的所述宽度，第二切割图案的最小宽度小于第二栅电极的所述宽度。

公开(公告)号：CN107221525B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201710175402.9

申请日：2017-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： N.井上 ,  金洞院 ,  曹永宇 ,  姜智远 ,  S.Y.韩

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的第一下部线和第二下部线，第一下部线和第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与第一方向正交的第二方向间隔开；气隙，其在第一下部线与第二下部线之间并沿着第二方向与它们隔开；第一绝缘间隔物，其在第一下部线的面对第二下部线的侧壁上，其中沿着第二方向从第一气隙到第一下部线的距离等于或大于半导体器件的设计规则的覆盖规格；以及第二绝缘间隔物，其在气隙与第二下部线之间。

公开(公告)号：CN115706111A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210510469.4

申请日：2022-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  金洞院 ,  赵槿汇 ,  河大元

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置可以包括：有源图案，其位于衬底上并且在第一方向上延伸；多个源极/漏极图案，其位于有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；栅电极，其位于多个源极/漏极图案之间且与有源图案交叉，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及多个沟道图案，其堆叠在有源图案上，并且被配置为将源极/漏极图案中的两个或更多个彼此连接。沟道图案可以彼此间隔开。沟道图案中的每一个可以包括第一部分和多个第二部分，第一部分位于栅电极与源极/漏极图案之间，多个第二部分连接到第一部分，并且在与由衬底的上表面限定的平面垂直的方向上与栅电极重叠。

公开(公告)号：CN112542454A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010731905.1

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  金洞院 ,  金旻怡 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/732

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：位于衬底中的阱区；位于所述阱区中的杂质区；位于所述杂质区上的第一有源鳍；位于所述阱区上的第二有源鳍；以及穿透所述第二有源鳍并且连接到所述阱区的连接图案。所述衬底和所述杂质区包括具有第一导电类型的杂质。所述阱区包括具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。所述第一有源鳍包括：在垂直于所述衬底的顶表面的方向上彼此间隔开的多个第一半导体图案。所述第一半导体图案和所述杂质区包括具有所述第一导电类型的杂质。

公开(公告)号：CN111799255A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010569036.7

申请日：2018-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  裵金钟

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，其中所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。

公开(公告)号：CN110867484A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910757604.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN108962973A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810496326.6

申请日：2018-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  裵金钟

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底；多个鳍，包括第一鳍、第二鳍、第三鳍、第四鳍及第五鳍，所述多个鳍中的每一个在第一方向上从所述衬底突出并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及多个沟槽，包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽及第四沟槽，所述多个沟槽中的每一个形成在所述多个鳍中的相邻的鳍之间，其中所述第一沟槽的第一宽度及所述第三沟槽的第三宽度的变化小于第一变化，其中所述第二沟槽的第二宽度及所述第四沟槽的第四宽度的变化小于第二变化，且其中所述第二变化大于所述第一变化。

公开(公告)号：CN108630684A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810243703.5

申请日：2018-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院

IPC: H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：沟道图案，设置在基板上；一对源极/漏极图案，设置在每个沟道图案的第一侧和第二侧；以及栅电极，设置在沟道图案周围，其中栅电极包括相邻的沟道图案之间的第一凹陷的顶表面，其中沟道图案与基板间隔开，并且其中栅电极设置在基板和沟道图案之间。

公开(公告)号：CN119947240A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510062976.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H10D84/85 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。