公开(公告)号：CN107221525B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201710175402.9

申请日：2017-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： N.井上 ,  金洞院 ,  曹永宇 ,  姜智远 ,  S.Y.韩

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的第一下部线和第二下部线，第一下部线和第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与第一方向正交的第二方向间隔开；气隙，其在第一下部线与第二下部线之间并沿着第二方向与它们隔开；第一绝缘间隔物，其在第一下部线的面对第二下部线的侧壁上，其中沿着第二方向从第一气隙到第一下部线的距离等于或大于半导体器件的设计规则的覆盖规格；以及第二绝缘间隔物，其在气隙与第二下部线之间。

公开(公告)号：CN107221525A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710175402.9

申请日：2017-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： N.井上 ,  金洞院 ,  曹永宇 ,  姜智远 ,  S.Y.韩

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在衬底上的第一下部线和第二下部线，第一下部线和第二下部线在第一方向上延伸、彼此相邻、并沿着与第一方向正交的第二方向间隔开；气隙，其在第一下部线与第二下部线之间并沿着第二方向与它们隔开；第一绝缘间隔物，其在第一下部线的面对第二下部线的侧壁上，其中沿着第二方向从第一气隙到第一下部线的距离等于或大于半导体器件的设计规则的覆盖规格；以及第二绝缘间隔物，其在气隙与第二下部线之间。