公开(公告)号：CN119947240A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510062976.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H10D84/85 ,  H10D64/27

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN110867484B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN201910757604.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H10D64/27 ,  H10D84/85

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

公开(公告)号：CN110867484A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910757604.3

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  崔景敏 ,  冈垣健 ,  金洞院 ,  金宗哲

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。