公开(公告)号：CN106298730A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610365247.2

申请日：2016-05-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·施内甘斯 ,  F·黑林 ,  H-J·舒尔策 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L24/03 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L23/49816 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49894

Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片

公开(公告)号：CN106257628A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610428162.4

申请日：2016-06-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N·G·加纳戈纳 ,  M·耶利内克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特雷德尔

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329

Abstract: 提供了一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该用于形成半导体器件的方法包括将预定义剂量的质子注入到半导体衬底中。此外，该方法包括在预定义剂量的质子的注入期间控制半导体衬底的温度，从而在多于用于注入预定义剂量的质子的注入处理时间的70％的时间期间，半导体衬底的温度在目标温度范围内。目标温度范围从目标温度下限至目标温度上限。此外，目标温度下限等于目标温度减去30℃，并且目标温度上限等于目标温度加上30℃，其中，目标温度高于80℃。

公开(公告)号：CN106128953A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610294432.7

申请日：2016-05-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·杰里纳克 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德 ,  M·斯塔特穆勒

IPC: H01L21/324 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法与含氧相关热施主的半导体器件。一种制造半导体器件的方法包括确定表示半导体晶圆(100)中的非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)的信息。基于与非本征掺杂剂浓度(Dext)和本征氧浓度(Doi)有关的信息以及与半导体晶圆(100)中的氧相关热施主的生成速率或分解速率有关的信息，确定用于生成或分解氧相关热施主的处理温度梯度(Tproc(t))以补偿目标掺杂剂浓度(Dtarg)与非本征掺杂剂浓度(Dext)之差。

公开(公告)号：CN105789109A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610016720.6

申请日：2016-01-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  I·莫德 ,  I·穆里

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/335 ,  H01L21/331 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据半导体装置的制造方法，从第一侧将第一沟槽形成到半导体本体中。通过将半导体本体浸入电解液中并且在半导体本体与接触电解液的电极之间施加阳极氧化电压而在第一沟槽的底侧形成阳极氧化物结构。

公开(公告)号：CN105390392A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510548480.X

申请日：2015-08-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  H·奥弗纳

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02008 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L21/3221

Abstract: 本发明公开了一种用于处理半导体主体的方法。在一实施例中，该方法包括通过第一热处理降低第一区中的硅晶片中的氧浓度，该第一区邻接该硅晶片的第一表面，通过经由第一表面向晶片中注入颗粒，至少在第二区中的晶片的晶格中生成空位，该第二区邻接该第一区，以及通过第二热处理在该第二区中形成氧沉淀。

公开(公告)号：CN105206515A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510350426.4

申请日：2015-06-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  S·福斯 ,  A·布雷梅瑟 ,  A·苏斯蒂 ,  刘书海 ,  H·奥弗纳

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/36 ,  C30B31/22

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/3242 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2203 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开涉及用于处理半导体晶片的方法。通过经由第二侧将第一粒子注入到半导体晶片中以在半导体晶片中形成晶体缺陷，来处理磁性提拉法半导体晶片，磁性提拉法半导体晶片具有在第一垂直方向上彼此远离布置的第一侧和第二侧。晶体缺陷在第一深度处具有最大缺陷浓度。在第一热工艺中对半导体晶片进行加热，以形成辐射引发施主。选择注入能量和剂量，使得半导体晶片在第一热工艺之后具有布置在第二侧与第一深度之间的n掺杂半导体区域，并且n掺杂半导体区域在第一垂直方向上具有在第一深度与第二侧之间的净掺杂浓度的局部最大值和在第一深度与第一最大值之间的净掺杂浓度的局部最小值。

公开(公告)号：CN105097907A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510470426.8

申请日：2015-05-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·戴内塞 ,  J·G·拉文 ,  P·莱希纳 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/13055 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及半导体器件和有隔离源区的反向导电绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括半导体台面，其具有与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。在与至少一个本体区相对的漂移区的一侧处的基底层包括至少一个本体区的导电类型的第一区、以及漂移区的导电类型的第二区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构中的至少一个包括控制了流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在源区中的两个源区之间的分离区域中，(i)栅电极与半导体台面之间的电容耦合或者(ii)漂移区的多数电荷载流子的导电率低于分离区域的外侧。

公开(公告)号：CN105097906A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510469220.3

申请日：2015-05-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·戴内塞 ,  J·G·拉文 ,  P·莱希纳 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明涉及半导体器件和有形成在半导体台面源区绝缘栅双极晶体管。一种半导体器件，包括：半导体台面，其包括与源区形成第一pn结并且与漂移区形成第二pn结的至少一个本体区。电极结构在半导体台面的相对侧上。电极结构的至少一个包括配置用于控制流过至少一个本体区的电荷载流子的栅电极。在沿着半导体台面的延伸方向布置的源区之间的分离区域中，半导体台面包括至少一个部分或完整的收缩。

公开(公告)号：CN104810392A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510039578.2

申请日：2015-01-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·法尔克 ,  A·黑特尔 ,  M·普法芬莱纳 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹 ,  D·施罗格尔 ,  H-J·舒尔策 ,  A·R·斯特格纳 ,  J·G·拉文

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x1013cm-3和5x1014cm-3之间的掺杂峰值。器件的阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，该pn结位于漂移区和相反的导电类型的半导体区之间，该半导体区被电耦接至半导体主体的第一侧。

公开(公告)号：CN104637940A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410640890.2

申请日：2014-11-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·许斯肯 ,  A·毛德 ,  H-J·舒尔策 ,  W·勒斯纳 ,  H·舒尔策

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体器件包括在半导体器件的半导体衬底和被布置为邻近半导体衬底的导电结构之间的至少一个欧姆接触区。此外，该半导体器件包括在导电结构和半导体器件的半导体衬底之间的至少一个肖特基接触区。至少一个欧姆接触区被布置为邻近至少一个肖特基接触区地。半导体衬底包括被布置为邻近导电结构的第一掺杂层。在至少一个欧姆接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度不同于在至少一个肖特基接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度，相差小于10％。