公开(公告)号：CN105696034A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510920779.3

申请日：2015-12-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·罗布尔 ,  F·黑林 ,  M·梅尔兹尔 ,  M·施内甘斯 ,  B·魏德甘斯

IPC: C25D3/38 ,  C25D5/50 ,  H01L21/02

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D3/12 ,  C25D3/32 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/52 ,  C25D5/50 ,  C25D7/123 ,  C25D15/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/02697

Abstract: 本发明涉及一种电解质。该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，并且所述电解质不含有碳纳米管。本发明还涉及提供一种形成金属层的方法，该方法可以包括使用电解质在载体上沉积金属层，其中该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，其中所述电解质不含有碳纳米管；以及对金属层退火以形成含有多个孔的金属层。本发明还涉及一种半导体器件，该半导体器件可以包括包含多个孔的金属层，其中所述多个孔可以形成在金属层中，同时添加剂的残余物存留在所述多个孔中并已经至少部分分解或蒸发。本发明还涉及一种金属层。

公开(公告)号：CN107017242B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201611012447.6

申请日：2016-11-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·博纳特 ,  M·德比 ,  J·加特巴尤尔 ,  T·格罗斯 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明涉及用于与发光芯片集成的半导体器件及其模块。一种半导体器件包括设置在半导体衬底中的有源区域以及包括金属线的最上面的金属层级，其中最上面的金属层级被设置在半导体衬底上方。接触焊盘设置在半导体器件的主表面处，其中接触焊盘耦合至最上面的金属层级中的金属线。隔离区域将设置在主表面处的接触焊盘分离。相邻的接触焊盘通过隔离区域的一部分相互电隔离。反射结构设置在上部金属层级与接触焊盘之间，其中在有源区域正上方的每个反射结构都完全与分离接触焊盘的隔离区域的相关部分重叠。

公开(公告)号：CN106298730B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610365247.2

申请日：2016-05-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·施内甘斯 ,  F·黑林 ,  H-J·舒尔策 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。

公开(公告)号：CN103871974B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201310757285.9

申请日：2013-12-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·海因里希 ,  F·马里阿尼 ,  M·施内甘斯 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和及其产生方法。半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面。所述第二主面是所述半导体芯片的背侧。所述第二主面包括第一区域和第二区域。所述第二区域是所述第二主面的外围区域，并且所述第一区域的水平面与第二区域的水平面不同。所述第一区域可以被填充有金属并且可以被平面化为与所述第二区域相同的水平面。

公开(公告)号：CN110957290A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910922030.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·贝伦斯 ,  A·海因里希 ,  E·纳佩特施尼格 ,  B·魏德甘斯 ,  C·维勒 ,  C·杨

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了半导体器件(10；20)，其包括：半导体管芯，该半导体管芯包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；设置在半导体管芯的第一表面上的第一金属化层；设置在第一金属化层上的第一焊料层，其中，第一焊料层包含化合物Sn/Sb；以及包括基于Cu的基础主体和设置在基于Cu的基础主体的主表面上的基于Ni的层的第一接触构件，其中，第一接触构件利用所述基于Ni的层连接到第一焊料层。

公开(公告)号：CN106601638A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610900454.3

申请日：2016-10-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·加特巴尤尔 ,  D·博纳特 ,  M·德比 ,  T·格罗斯 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169

Abstract: 本申请涉及方法和半导体芯片器件。根据各种实施例，一种方法可以包括：使用第一剥离工艺在表面上形成第一层；使用第二剥离工艺在所述第一层之上形成第二层；其中将所述第二剥离工艺配置成使得所述第二层至少部分地覆盖所述第一层的至少一个侧壁。

公开(公告)号：CN103871974A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310757285.9

申请日：2013-12-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·海因里希 ,  F·马里阿尼 ,  M·施内甘斯 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和及其产生方法。半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面。所述第二主面是所述半导体芯片的背侧。所述第二主面包括第一区域和第二区域。所述第二区域是所述第二主面的外围区域，并且所述第一区域的水平面与第二区域的水平面不同。所述第一区域可以被填充有金属并且可以被平面化为与所述第二区域相同的水平面。

公开(公告)号：CN104217968B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410228459.7

申请日：2014-05-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·吉西布尔 ,  H·文特 ,  T·费舍尔 ,  B·魏德甘斯 ,  G·斯特兰茨尔 ,  T·施密特 ,  D·博纳特

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76892

Abstract: 本发明公开了一种用于加工半导体工件的方法，该方法可以包括：提供半导体工件，半导体工件包括在半导体工件的侧面设置的金属敷镀层堆，该金属敷镀层堆至少包括第一层和在第一层之上设置的第二层，其中第一层包含第一材料，并且第二层包含与第一材料不同的第二材料；图案化金属敷镀层堆，其中图案化金属敷镀层堆的步骤包括利用对于第一材料和第二材料具有至少基本上相同蚀刻速率的蚀刻溶液来湿蚀刻第一层和第二层。

公开(公告)号：CN107017242A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611012447.6

申请日：2016-11-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·博纳特 ,  M·德比 ,  J·加特巴尤尔 ,  T·格罗斯 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明涉及用于与发光芯片集成的半导体器件及其模块。一种半导体器件包括设置在半导体衬底中的有源区域以及包括金属线的最上面的金属层级，其中最上面的金属层级被设置在半导体衬底上方。接触焊盘设置在半导体器件的主表面处，其中接触焊盘耦合至最上面的金属层级中的金属线。隔离区域将设置在主表面处的接触焊盘分离。相邻的接触焊盘通过隔离区域的一部分相互电隔离。反射结构设置在上部金属层级与接触焊盘之间，其中在有源区域正上方的每个反射结构都完全与分离接触焊盘的隔离区域的相关部分重叠。

公开(公告)号：CN106298730A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610365247.2

申请日：2016-05-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·施内甘斯 ,  F·黑林 ,  H-J·舒尔策 ,  B·魏德甘斯

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L24/03 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L23/49816 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49894

Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片