公开(公告)号：CN104217968B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410228459.7

申请日：2014-05-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·吉西布尔 ,  H·文特 ,  T·费舍尔 ,  B·魏德甘斯 ,  G·斯特兰茨尔 ,  T·施密特 ,  D·博纳特

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76892

Abstract: 本发明公开了一种用于加工半导体工件的方法，该方法可以包括：提供半导体工件，半导体工件包括在半导体工件的侧面设置的金属敷镀层堆，该金属敷镀层堆至少包括第一层和在第一层之上设置的第二层，其中第一层包含第一材料，并且第二层包含与第一材料不同的第二材料；图案化金属敷镀层堆，其中图案化金属敷镀层堆的步骤包括利用对于第一材料和第二材料具有至少基本上相同蚀刻速率的蚀刻溶液来湿蚀刻第一层和第二层。

公开(公告)号：CN104217968A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410228459.7

申请日：2014-05-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·吉西布尔 ,  H·文特 ,  T·费舍尔 ,  B·魏德甘斯 ,  G·斯特兰茨尔 ,  T·施密特 ,  D·博纳特

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76892

Abstract: 本发明公开了一种用于加工半导体工件的方法，该方法可以包括：提供半导体工件，半导体工件包括在半导体工件的侧面设置的金属敷镀层堆，该金属敷镀层堆至少包括第一层和在第一层之上设置的第二层，其中第一层包含第一材料，并且第二层包含与第一材料不同的第二材料；图案化金属敷镀层堆，其中图案化金属敷镀层堆的步骤包括利用对于第一材料和第二材料具有至少基本上相同蚀刻速率的蚀刻溶液来湿蚀刻第一层和第二层。