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公开(公告)号：CN111696956B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010166747.X
申请日：2020-03-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，其包括多个金属引线和通过互连附接到多个金属引线的半导体管芯。多个金属引线的表面、半导体管芯的金属化表面和/或互连的表面包括Cu，并且具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率。包括Cu并且具有在340至400W/mK范围内的热导率以及在80％至110％IACS范围内的电导率的一个或多个所述表面还包括具有在1μm至10μm范围内的直径的微孔。还描述了一种制造具有这种微孔的金属表面的方法。
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公开(公告)号：CN110957290A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910922030.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了半导体器件(10；20)，其包括：半导体管芯，该半导体管芯包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；设置在半导体管芯的第一表面上的第一金属化层；设置在第一金属化层上的第一焊料层，其中，第一焊料层包含化合物Sn/Sb；以及包括基于Cu的基础主体和设置在基于Cu的基础主体的主表面上的基于Ni的层的第一接触构件，其中，第一接触构件利用所述基于Ni的层连接到第一焊料层。
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公开(公告)号：CN118800711A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410440192.1
申请日：2024-04-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 一种方法，包括将电子部件(100)安装在临时载体(112)上的粘合剂基底结构(102)上，以及通过用电磁辐射(104)照射所述基底结构(102)来消融所述基底结构(102)的至少一部分，从而释放所述电子部件(100)。提供一种消融粘合剂基底结构以释放电子部件的设备。
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公开(公告)号：CN107863332B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201710854614.X
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/58
Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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公开(公告)号：CN112542436A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010986411.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , C22C21/10 , C22C21/16 , C22C21/06 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/08 , C22C21/12 , C23C14/14
Abstract: 半导体衬底(100)具有接合焊盘(110)。所述接合焊盘(110)包括铝合金层，所述铝合金所具有的化学成分包括选自Zn、Mg、Cu、Si和Sc的主要合金元素。如果主要合金元素是Cu，则所述化学成分还包括选自Ti、Mg、Ag和Zr的至少一种元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783279A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910709904.4
申请日：2019-07-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于封装(100)的粘附增强结构，所述封装包括具有焊盘(104)的电子芯片(102)，其中，所述焊盘(104)至少部分地被粘附增强结构(106)覆盖，并且其中，所述焊盘(104)和所述粘附增强结构(106)具有至少一种共同的化学元素，特别是铝。
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公开(公告)号：CN113745175B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202110591590.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括：至少一个芯片；暴露的金属区域；在暴露的金属区域之上并且被配置为能保护金属区域免受氧化的金属保护层结构，所述保护层结构包括低温沉积的氧化物；和位于保护层结构之上的水热转化的金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN110783279B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201910709904.4
申请日：2019-07-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于封装(100)的粘附增强结构，所述封装包括具有焊盘(104)的电子芯片(102)，其中，所述焊盘(104)至少部分地被粘附增强结构(106)覆盖，并且其中，所述焊盘(104)和所述粘附增强结构(106)具有至少一种共同的化学元素，特别是铝。
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公开(公告)号：CN113745175A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110591590.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了一种芯片封装体。所述芯片封装体可包括：至少一个芯片；暴露的金属区域；在暴露的金属区域之上并且被配置为能保护金属区域免受氧化的金属保护层结构，所述保护层结构包括低温沉积的氧化物；和位于保护层结构之上的水热转化的金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN106206518A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610302813.5
申请日：2016-05-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05599 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L23/488 , H01L21/4814
Abstract: 本发明的各个实施例涉及焊料金属化堆叠以及其形成方法。提供了一种半导体器件，包括：设置在基板的半导体表面之上的接触金属层；设置在接触金属层之上的扩散阻挡结构层；设置在扩散阻挡结构层之上的惰性层；以及设置在惰性层之上的焊料层。
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