公开(公告)号：CN107863332B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201710854614.X

申请日：2017-09-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。

公开(公告)号：CN113471162B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202110735338.1

申请日：2017-09-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。

公开(公告)号：CN113471162A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110735338.1

申请日：2017-09-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。

公开(公告)号：CN107863332A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710854614.X

申请日：2017-09-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2924/13055 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/0132

Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。