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公开(公告)号：CN106206518A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610302813.5
申请日：2016-05-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/0558 , H01L2224/05599 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L23/488 , H01L21/4814
Abstract: 本发明的各个实施例涉及焊料金属化堆叠以及其形成方法。提供了一种半导体器件，包括：设置在基板的半导体表面之上的接触金属层；设置在接触金属层之上的扩散阻挡结构层；设置在扩散阻挡结构层之上的惰性层；以及设置在惰性层之上的焊料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107863332B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201710854614.X
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/58
Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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公开(公告)号：CN113471162B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202110735338.1
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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公开(公告)号：CN113471162A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110735338.1
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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公开(公告)号：CN106206518B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201610302813.5
申请日：2016-05-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
Abstract: 本发明的各个实施例涉及焊料金属化堆叠以及其形成方法。提供了一种半导体器件，包括：设置在基板的半导体表面之上的接触金属层；设置在接触金属层之上的扩散阻挡结构层；设置在扩散阻挡结构层之上的惰性层；以及设置在惰性层之上的焊料层。
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公开(公告)号：CN107863332A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710854614.X
申请日：2017-09-20
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L29/861 , H01L2224/29005 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/8309 , H01L2924/13055 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L24/83 , H01L2021/60007 , H01L2224/29026 , H01L2224/831 , H01L2224/83801 , H01L2924/0132
Abstract: 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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