公开(公告)号：CN106298730A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610365247.2

申请日：2016-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·施内甘斯 ,  F·黑林 ,  H-J·舒尔策 ,  B·魏德甘斯

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L24/03 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01074 ,  H01L23/49816 ,  H01L21/4889 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49894

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片

公开(公告)号：CN106298730B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610365247.2

申请日：2016-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·施内甘斯 ,  F·黑林 ,  H-J·舒尔策 ,  B·魏德甘斯

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

摘要： 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。

公开(公告)号：CN105696034A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510920779.3

申请日：2015-12-11

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： W·罗布尔 ,  F·黑林 ,  M·梅尔兹尔 ,  M·施内甘斯 ,  B·魏德甘斯

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D5/50 ,  H01L21/02

CPC分类号： C25D3/38 ,  C25D3/12 ,  C25D3/32 ,  C25D3/46 ,  C25D3/48 ,  C25D3/52 ,  C25D5/50 ,  C25D7/123 ,  C25D15/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/02697

摘要： 本发明涉及一种电解质。该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，并且所述电解质不含有碳纳米管。本发明还涉及提供一种形成金属层的方法，该方法可以包括使用电解质在载体上沉积金属层，其中该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，其中所述电解质不含有碳纳米管；以及对金属层退火以形成含有多个孔的金属层。本发明还涉及一种半导体器件，该半导体器件可以包括包含多个孔的金属层，其中所述多个孔可以形成在金属层中，同时添加剂的残余物存留在所述多个孔中并已经至少部分分解或蒸发。本发明还涉及一种金属层。