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公开(公告)号：CN106298730B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610365247.2
申请日：2016-05-27
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。
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公开(公告)号：CN103871974B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201310757285.9
申请日：2013-12-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体器件和及其产生方法。半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面。所述第二主面是所述半导体芯片的背侧。所述第二主面包括第一区域和第二区域。所述第二区域是所述第二主面的外围区域，并且所述第一区域的水平面与第二区域的水平面不同。所述第一区域可以被填充有金属并且可以被平面化为与所述第二区域相同的水平面。
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公开(公告)号：CN104134665B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410174094.4
申请日：2014-04-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/823487 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要： 本发明的实施例公开了一种包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅半导体本体中的沟槽晶体管单元阵列，该硅半导体本体具有第一主表面以及与第一主表面相对的第二主表面。半导体本体的在第一主表面和第二主表面之间的主侧面具有沿着平行于第一和第二主表面的第一横向方向的第一长度。第一长度等于或者大于半导体本体的其它侧面的长度。沟槽晶体管单元阵列主要包括线性栅极沟槽部分。至少50％的线性栅极沟槽部分沿着第二横向方向或者垂直于第二横向方向延伸。第一和第二横向方向之间的角度在45°±15°范围内。
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公开(公告)号：CN105696034A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510920779.3
申请日：2015-12-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： C25D3/38 , C25D3/12 , C25D3/32 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D3/52 , C25D5/50 , C25D7/123 , C25D15/00 , H01L21/2885 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/02697
摘要： 本发明涉及一种电解质。该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，并且所述电解质不含有碳纳米管。本发明还涉及提供一种形成金属层的方法，该方法可以包括使用电解质在载体上沉积金属层，其中该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，其中所述电解质不含有碳纳米管；以及对金属层退火以形成含有多个孔的金属层。本发明还涉及一种半导体器件，该半导体器件可以包括包含多个孔的金属层，其中所述多个孔可以形成在金属层中，同时添加剂的残余物存留在所述多个孔中并已经至少部分分解或蒸发。本发明还涉及一种金属层。
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公开(公告)号：CN105336718A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510468210.8
申请日：2015-08-03
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L21/4807 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L23/528 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/49 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/03002 , H01L2224/0346 , H01L2224/03505 , H01L2224/03602 , H01L2224/0391 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05576 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0603 , H01L2224/08245 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0532 , H01L2924/05341 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
摘要： 一种用于形成半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底中形成器件区域，半导体衬底包括第一侧和第二侧。器件区域与第一侧邻近地形成。该方法还包括：在半导体衬底的第一侧之上形成种子层；在种子层之上形成经图案化的抗蚀剂层。在经图案化的抗蚀剂层内在种子层之上形成接触焊盘。该方法还包括：在形成接触焊盘之后，去除经图案化的抗蚀剂层，以露出种子层的在经图案化的抗蚀剂层之下的部分；以及在种子层的露出的部分之上形成保护层。
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公开(公告)号：CN106816384B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201611073551.6
申请日：2016-11-29
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48
摘要： 本申请涉及制作层的方法和器件。提供一种制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成至少一个电子组件；形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘；其中形成所述接触焊盘包括：在所述衬底之上形成第一层；将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二层，其中所述第二层具有比所述第一层更低的孔隙度。
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公开(公告)号：CN105336718B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510468210.8
申请日：2015-08-03
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L21/4807 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/49582 , H01L23/49586 , H01L23/528 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/32 , H01L24/49 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/03002 , H01L2224/0346 , H01L2224/03505 , H01L2224/03602 , H01L2224/0391 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05576 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0603 , H01L2224/08245 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0532 , H01L2924/05341 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/03
摘要： 一种用于形成半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底中形成器件区域，半导体衬底包括第一侧和第二侧。器件区域与第一侧邻近地形成。该方法还包括：在半导体衬底的第一侧之上形成种子层；在种子层之上形成经图案化的抗蚀剂层。在经图案化的抗蚀剂层内在种子层之上形成接触焊盘。该方法还包括：在形成接触焊盘之后，去除经图案化的抗蚀剂层，以露出种子层的在经图案化的抗蚀剂层之下的部分；以及在种子层的露出的部分之上形成保护层。
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公开(公告)号：CN106024741A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610165364.4
申请日：2016-03-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/14 , H01L21/56
摘要： 在不同实施方式中提供了芯片。所述芯片可以包含芯片体和在所述芯片体的前侧上的正面金属化结构和/或在所述芯片体的背侧上的背侧金属化结构，使得所述芯片在芯片固定方法的温度范围内是平坦的或者具有正的曲率半径。
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公开(公告)号：CN103871974A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310757285.9
申请日：2013-12-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/6836 , H01L23/3677 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L29/0657 , H01L29/45 , H01L2221/68327 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83191 , H01L2224/83365 , H01L2224/8382 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及一种半导体器件和及其产生方法。半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面。所述第二主面是所述半导体芯片的背侧。所述第二主面包括第一区域和第二区域。所述第二区域是所述第二主面的外围区域，并且所述第一区域的水平面与第二区域的水平面不同。所述第一区域可以被填充有金属并且可以被平面化为与所述第二区域相同的水平面。
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公开(公告)号：CN103871977B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310757220.4
申请日：2013-12-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件及其生产方法。一个半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面，其中第二主面是所述半导体芯片的背面。进一步地，所述半导体器件包括导电层，特别地，被布置在所述半导体芯片的第二主面的第一区域上。进一步地，所述半导体器件包括聚合物结构，所述聚合物结构被布置在所述半导体芯片的第二主面的第二区域上，其中第二区域是所述半导体芯片的第二主面的外围区域，且第一区域与第二区域毗邻。
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