公开(公告)号：CN116544221A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202211677925.0

申请日：2022-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  柳川洋 ,  森和久 ,  波多俊幸

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/495 ,  H03K17/687

Abstract: 一种半导体装置包括：第一半导体芯片，其包括n型的第一MOSFET和第一寄生二极管；以及第二半导体芯片，其包括n型的第二MOSFET和第二寄生二极管。第一源极电极和第一栅极布线形成在第一半导体芯片的第一正面中，第一漏极电极形成在第一半导体芯片的第一背面中。第二源极电极和第二栅极布线形成在第二半导体芯片的第二正面中，第二漏极电极形成在第二半导体芯片的第二背面中。第一正面和第二正面彼此面对，使得第一源极电极和第二源极电极经由导电膏彼此接触。

公开(公告)号：CN114784105A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202111587696.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  下村彰宏 ,  泽田雅己

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开涉及半导体器件和半导体封装体。根据一个实施例的半导体器件包括：具有第一表面和在第一表面的相对侧上的第二表面的半导体衬底、形成在第一表面上的栅极绝缘膜、经由栅极绝缘膜形成在第一表面上的栅极，形成在半导体衬底的第一表面侧的源极区、形成为与源极区接触并包括沟道区的体区、形成在半导体衬底的第二表面侧的漏极区，以及形成为与体区的第二表面侧和漏极区的第一表面侧接触的漂移区。该半导体衬底具有形成在所述第二表面中且朝向第一表面凹陷的至少一个凹部部分。

公开(公告)号：CN109425933B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201810959103.9

申请日：2018-08-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 饭田哲也 ,  中柴康隆

IPC: G02B6/125

Abstract: 提供一种半导体器件，其包括低损耗光波导。包括在半导体器件中的光波导具有覆盖有分别具有不同折射率的第一和第二包层的芯层。芯层的一部分以第一比率覆盖，即，第一包层与第二包层的比率，同时以第二比率覆盖，即，第二包层与第一包层的比率。此时，第一比率和第二比率均为大于0的有限值。

公开(公告)号：CN106405970B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201610391363.1

申请日：2016-06-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  绵贯真一

IPC: G02F1/225 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明涉及使半导体器件的性能提高的半导体器件及其制造方法。具有光波导路和p型半导体部的半导体器件以如以方式构成。光波导路具有：形成在绝缘层上的第1半导体层、形成在第1半导体层上的绝缘层以及形成在绝缘层上的第2半导体层。此外，p型半导体部具有第1半导体层。而且，p型半导体部的膜厚比光波导路的膜厚小。这样，在第1半导体层和第2半导体层之间形成有绝缘层，因此，使得光波导路的膜厚和p型半导体部的膜厚的控制变得容易。特别是，在p型半导体部的形成工序中，在利用蚀刻除去不需要的第2半导体层之际，使下层的绝缘层作为蚀刻阻挡层发挥作用，从而能够容易地调整p型半导体部的膜厚。

公开(公告)号：CN107731851A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710194556.2

申请日：2017-03-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/535 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1095 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在半导体装置中，抑制噪声经由密封环的传播。半导体装置(SM1)具备形成于包围电路形成区域的密封环区域(1C)的环状的密封环(SR)。密封环(SR)具有BOX层(BX)、n型半导体层(NR)以及由多层的布线(MR1、MR2、MR3、MR4、MR5)构成的环状的电极部(ESR)，电极部(ESR)经由插销电极(PL)而与n型半导体层(NR)电连接。

公开(公告)号：CN106373975A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610423517.0

申请日：2016-06-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/15

CPC classification number: G02B6/428 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/12061 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种具有硅波导的光的传播特性不会发生劣化的中介层的半导体器件。中介层(IP1)具有例如沿着x方向配置的多个相同的功能块(MD)，该功能块(MD)具有搭载有半导体芯片的第一区域(R1)、搭载有发光元件芯片的第二区域(R2)、搭载有受光元件芯片的第三区域(R3)以及多个硅波导(PC)。而且，第二区域(R2)以及第三区域(R3)配置于第一区域(R1)与中介层(IP1)的沿着x方向的第一边之间。另外，多个硅波导(PC)配置于第二区域(R2)以及第三区域(R3)与上述第一边之间，并从第二区域(R2)以及第三区域(R3)向上述第一边延伸，没有形成于在x方向上彼此相邻的功能块(MD)之间。

公开(公告)号：CN105789307A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510821859.3

申请日：2015-11-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河合徹 ,  中柴康隆 ,  秋山丰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66477

Abstract: 在不增加半导体芯片的面积尺寸的情况下，改善了半导体器件的性能。例如，功率晶体管的源极电极和电容元件的上部电极具有重叠部分。换而言之，电容元件的上部电极通过电容绝缘膜在功率晶体管的源极电极之上形成。即，功率晶体管和电容元件在半导体芯片的厚度方向上以层压的方式布置。结果就是，可以在抑制半导体芯片的平面尺寸增加的同时增加与功率晶体管电连接的电容元件。

公开(公告)号：CN103487743B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310384734.X

申请日：2008-12-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: G01R31/303

CPC classification number: H01L28/10 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  G01R31/303

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。半导体装置（100）包括：半导体衬底，其包括半导体芯片形成区；芯片内部电路，其被设置在半导体衬底的半导体芯片形成区之内；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收电感器；耦合到芯片内部电路的多个信号发送/接收焊盘；功率接收电感器，其具有沿着耦合到芯片内部电路的半导体衬底的外部边缘设置的直径；耦合到芯片内部电路的功率接收焊盘，功率接收电感器围绕芯片内部电路、信号发送/接收电感器、信号发送/接收焊盘和功率接收焊盘，并且，信号发送/接收电感器之一和信号发送/接收焊盘之一并联耦合到芯片内部电路，并且功率接收电感器和功率接收焊盘并联耦合到芯片内部电路。

公开(公告)号：CN103022002B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210382395.7

申请日：2009-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0617 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。在衬底（10）上形成多层布线层（400）、第一电感器（310）和第二电感器（320）。通过交替地依次堆叠绝缘层和布线层t次或更多次而形成多层布线层，其中t≥3。将第一电感器（310）设置在多层布线层（400）中的第n布线层中。第二电感器（320）被设置在多层布线层（400）中的第m布线层中并位于第一电感器（310）上方，其中t≥m≥n+2。在位于第n布线层与第m布线层之间的任何一个布线层中不设置位于第一电感器（310）上方的任何电感器。第一电感器（310）和第二电感器（320）组成在两个方向中的任何一个方向上传输电信号的信号传输器件（300）。

公开(公告)号：CN104425587A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410440432.4

申请日：2014-09-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 河合彻 ,  秋山丰 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 场极板导致了阻碍高速晶体管切换的过量栅极电容。为了抑制过量栅极电容，开口包括定位在漏极电极一侧的第一侧壁、以及定位在源极电极一侧的第二侧壁。同时，栅极电极包括从俯视图看面对漏极电极的第一侧表面。栅极电极的第一侧表面从平面图看定位在第一侧壁与第二侧壁的内侧。另外，第一场极板的一部分嵌入在第一侧表面与第一侧壁之间。栅极电极与第一场极板通过第一绝缘构件电绝缘。