公开(公告)号：CN1925112A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200510103678.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  佐藤淳子

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。

公开(公告)号：CN1620215A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410085982.5

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  山道亚希 ,  山出直人

IPC: H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/20 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件，该显示区域包括第一电极；覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及第二电极，其中，给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。

公开(公告)号：CN1366341A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN02105264.6

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明特征在于,在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上,形成含稀有气体元素的半导体膜,并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且,在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN1739969B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200510096638.0

申请日：2005-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理

IPC: B41J2/165 ,  B41J2/14 ,  B41J2/01 ,  H05K3/14

CPC classification number: B41J2/165 ,  B41J2/14016 ,  B41J2/14201 ,  B41J2202/05

Abstract: 本发明提供一种液滴排放设备，不会在成分从喷头排放时因干燥、固化等造成不良排放。本发明的一个特点包括设置了成分排放喷孔的喷头部分、从喷孔排放成分的增压装置、向喷头部分底面提供成分的装置，其中对喷头部分底面作亲液处理。作为向喷头部分提供成分的装置，在喷头部分里设置了成分能通过流动的通道，于是向喷头部分底面提供成分。

公开(公告)号：CN101013674B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200710006392.2

申请日：2007-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  伊藤恭介

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H05K13/04 ,  G06K19/077

CPC classification number: H05K13/0478 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49018 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的目的在于提供一种低成本的半导体器件的制造方法及可以以低成本制造半导体器件的制造装置。本发明是一种半导体器件的制造装置，包括：具有被排列设置的保持部的工具；控制被排列设置的保持部之间的间隔的控制机构；设有多个半导体集成电路的支撑机构；以及设有具有多个元件的衬底的支撑机构，其中由具有被排列设置的保持部的工具将半导体集成电路安装于元件，来制造半导体器件。

公开(公告)号：CN100530542C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510076545.1

申请日：2000-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  胜村学 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。

公开(公告)号：CN100508137C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200480035990.7

申请日：2004-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  山崎舜平 ,  前川慎志 ,  中村理

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786

Abstract: 可以想象的是，在制造大面积显示器中，信号被导线的电阻延迟的问题变得非常显著。本发明提供了一种使用适合于大尺寸衬底的通过微滴排放方法的制造过程。在本发明中，预先在衬底上形成增强粘附性的基层11(或者基底预处理)并形成绝缘膜之后，形成具有期望图案形状的掩模并通过使用该掩模形成期望的凹陷。在具有掩模13和绝缘膜制成的侧壁的凹陷中通过微滴排放方法填充金属材料，以形成嵌入导线(栅电极、电容器导线、引线等)。其后，通过平坦化处理使其平坦，例如挤压或者CMP处理。

公开(公告)号：CN100501944C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200410069690.2

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有：用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层；利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层；以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层和包含一种导电型杂质的第二半导体层。

公开(公告)号：CN100464429C

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200480031814.6

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  今井馨太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L33/08 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24421 ,  H01L2924/00

Abstract: 采用能够选择性地形成图案的方法，形成构成引线或电极的导电层、以及诸如用于形成预定图案的掩膜等制造显示面板所需的图案中的至少一个或多个，以制造液晶显示设备。能够通过依照具体的对象选择性地排放合成物的微滴来形成预定图案的微滴排放法在形成导电层、绝缘层等时用作能够选择性地形成图案的方法。

公开(公告)号：CN101369401A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810168724.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。